[发明专利]一种变压器直流偏磁仿真模拟方法及装置有效
| 申请号： | 201710082434.4 | 申请日： | 2017-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN106777836B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 李书勇;邓焱;郭琦;袁艺;李鹏 | 申请（专利权）人： | 南方电网科学研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F119/00 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 510080 广东省广州市越*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 变压器 直流 仿真 模拟 方法 装置 | ||
1.一种变压器直流偏磁仿真模拟方法，其特征在于，包括：
计算直流电流产生的直流偏置磁通密度△B0，并计算Bm-△B0曲线，其中Bm为变压器的实时磁通密度；
根据所述Bm-△B0曲线修正变压器模型中的无偏磁磁化曲线，并根据修正后的无偏磁磁化曲线以及变压器模型确定变压器中的励磁电流大小、波形以及谐波成分；
获取无偏磁磁化曲线H-B，并根据所述无偏磁磁化曲线H-B的拟合函数以及直流电流Idc计算直流偏置磁通密度△B0；
根据所述Bm-△B0曲线修正无偏磁磁化曲线以获取直流偏磁条件下修正后的无偏磁磁化曲线；
根据所述修正后的无偏磁磁化曲线以及变压器模型中的直流偏置后磁通φ获取直流偏磁下的励磁电流Is；
所述根据所述无偏磁磁化曲线H-B的拟合函数以及直流电流Idc计算直流偏置磁通密度△B0，包括：
根据
其中，
φ0为直流电流产生直流偏置磁通，l为铁芯中磁路的平均长度，a和b为拟合系数，S为铁芯等效截面积，N1为匝数，Idc为流入绕组的直流电流，φm为励磁磁通，K为漏抗比；
根据和所述无偏磁磁化曲线H-B 以及所述直流电流Idc使用单相双绕组变压器模型求取所述直流偏置磁通密度△B0。
2.一种变压器直流偏磁仿真模拟装置，其特征在于，包括：
获取模块，用于获取直流电流产生的直流偏置磁通密度△B0，并计算Bm-△B0曲线，其中Bm为变压器的实时磁通密度；
第一处理模块，用于根据所述Bm-△B0曲线修正变压器模型中的无偏磁磁化曲线，并根据修正后的无偏磁磁化曲线以及变压器模型确定变压器中的励磁电流大小、波形以及谐波成分；
第二处理模块，用于获取无偏磁磁化曲线H-B，并根据所述无偏磁磁化曲线H-B的拟合函数以及直流电流Idc计算直流偏置磁通密度△B0；
第三处理模块，用于根据所述Bm-△B0曲线修正无偏磁磁化曲线以获取直流偏磁条件下修正后的无偏磁磁化曲线；
第四处理模块，用于根据所述修正后的无偏磁磁化曲线以及变压器模型中的直流偏置后磁通φ获取直流偏磁下的励磁电流Is；
所述第二处理模块，具体用于：
根据
其中，
φ0为直流电流产生直流偏置磁通，l为铁芯中磁路的平均长度，a和b为拟合系数，S为铁芯等效截面积，N1为匝数，Idc为流入绕组的直流电流，φm为励磁磁通，K为漏抗比；
根据和所述无偏磁磁化曲线H-B 以及所述直流电流Idc使用单相双绕组变压器模型求取所述直流偏置磁通密度△B0。
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