[发明专利]一种温度及磁场薄膜传感器及其数据采集分析系统

权利要求书

1.基于温度及磁场薄膜传感器的数据采集分析系统，包括薄膜传感器2和数据采集分析模块，其特征在于：所述薄膜传感器2包括石英衬底7，所述石英衬底7上镀有锰氧化物薄膜9，所述锰氧化物薄膜9上镀有金属电极Ⅰ8和金属电极Ⅱ10，所述金属电极Ⅰ8和金属电极Ⅱ10通过焊盘分别连接一金属引线，所述锰氧化物薄膜9上覆盖有钝化保护层13；

所述数据采集分析模块包括恒流源1、电压放大电路3、数据采集器4和计算机5，所述恒流源1的两端分别与薄膜传感器2通过焊接在金属电极Ⅰ8和金属电极Ⅱ10上的金属引线相连接，所述电压放大电路3的两个输入端分别与薄膜传感器2通过焊接在金属电极Ⅰ8和金属电极Ⅱ10上的金属引线相连接，所述薄膜传感器2上的电压信号经由电压放大电路3进行放大，所述电压放大电路3与数据采集器4相连，数据采集器4采集电压信号并传送到计算机5。

2.根据权利要求1所述的基于温度及磁场薄膜传感器的数据采集分析系统，其特征在于：所述的锰氧化物薄膜9由具有庞磁电阻效应的锰氧化物材料La_2/3(Ca_0.6Ba_0.4)_1/3MnO₃成型。

3.根据权利要求1所述的基于温度及磁场薄膜传感器的数据采集分析系统，其特征在于：所述的锰氧化物薄膜9通过脉冲激光沉积或磁控溅射的方法沉积在石英衬底7上，所述石英衬底7为矩形衬底，其尺寸为3mm×5mm。

4.根据权利要求3所述的基于温度及磁场薄膜传感器的数据采集分析系统，其特征在于：所述的锰氧化物薄膜9的沉积厚度为500nm。

5.根据权利要求1所述的温度磁场薄膜传感器及其数据采集分析系统，其特征在于：所述的金属电极Ⅰ8和金属电极Ⅱ10通过脉冲激光沉积或磁控溅射的方法对称地镀在锰氧化物薄膜9上，所述金属电极Ⅰ8和金属电极Ⅱ10上分别焊接有金属引线Ⅰ11和金属引线Ⅱ12。

6.根据权利要求1所述的基于温度及磁场薄膜传感器的数据采集分析系统，其特征在于：所述的锰氧化物薄膜9及金属电极Ⅰ8和金属电极Ⅱ10完全被钝化保护层13所覆盖，所述钝化保护层13由SiO₂成型。

7.根据权利要求1所述的温度磁场薄膜传感器及其数据采集分析系统，其特征在于：所述的电压放大电路3的主控芯片为AD623。

8.根据权利要求1所述的温度磁场薄膜传感器及其数据采集分析系统，其特征在于：所述的数据采集器4为16位的USB-6002数据采集卡，所述USB-6002数据采集卡通过USB通讯方式与计算机5连接。

9.根据权利要求1所述的温度磁场薄膜传感器及其数据采集分析系统，其特征在于：所述的计算机5对数据的接收以及分析处理功能在虚拟仪器开发软件LabVIEW中完成。