[发明专利]一种微小化多色发光CSP芯片制作方法在审
申请号: | 201710082969.1 | 申请日: | 2017-02-16 |
公开(公告)号: | CN107068839A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 崔杰;彭友;陈龙;丁磊 | 申请(专利权)人: | 安徽芯瑞达科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H01L27/15 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)11390 | 代理人: | 胡剑辉 |
地址: | 230000 安徽省合肥市经*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微小 多色 发光 csp 芯片 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及到LED技术领域,特别是一种微小化多色发光CSP芯片制作方法。
背景技术
发明原因:多颜色LED混色补色的背光技术是当前研究的热点。早在2000年,日本就已生产出多芯片型LED背光产品。随后,各大公司相继推出以多芯片型LED为背光的高性能LCD。但具体怎样混色补色,现在公开的文献还很少。
虽然红绿蓝3种颜色LED灯混合出的背光色域宽,但存在红边现象。本文采用白色LED灯作为主光源,然后用橙灯和蓝灯作为补色光源,得到出屏白场色温在(6500±100)K以内,色坐标u′在0。198±0。01以内,v′在0。468±0。01以内的标准白色光。
光刻技术:
光刻的步骤主要有:前处理、旋涂光刻胶、前烘、曝光、显影、坚膜、检查图形几个步骤。
光刻通常分为以光子为光源的光刻技术、以粒子为光源的光刻技术以及物理接触式光刻技术。在上述光刻技术中,以光子为基础的光刻技术种类很多,其原理是当光照射到光刻胶上时,受到光照的部分发生降解反应而能被显影液溶解(正胶),或发生交链反应而成为不溶物(负胶),正胶显影后的图形与掩膜板上图形一致,负胶显影后的图形与掩膜板上互补。
CSP技术:虽然业内人士都大概知道CSP的定义,但各类翻译和说法不一,简单地说,CSP(Chip Scale Package),翻译成中文的意思是芯片尺寸封装,或者叫芯片级封装。
CSP是最新一代的内存芯片封装技术,其技术性主要体现为让芯片面积与封装面积之比超过1:1.14,与理想情况的1:1相当接近;相对LED产业而言,CSP封装是基于倒装技术而存在的,CSP器件是指将封装体积与倒装芯片体积控制至相同或封装体积不大于倒装芯片体积的20%。
从以上定义可以获取几个关键性特点:1、面积大约是芯片面积的1.2倍或者更小;2、没有金线和支架3、目前只能采用倒装芯片技术来实现;4、生产工艺及设备精度要求高。
IC芯片内部:IC芯片内部是晶体管、二极管、电容、电阻、电感等等元件,加上多个淀积金属材料形成的互连层和多个淀积绝缘材料形成的绝缘层。然后再封装,用导线连到印刷版或衬底上。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供了一种微小化多色发光CSP芯片制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:在蓝光LED芯片的衬底上制作多个独立的蓝光控制单元,并对各蓝光控制单元之间进行绝缘处理;
S2:从所述蓝光LED芯片内部引出导线至底部焊盘,通过底部焊盘控制电流通断达到分别对各蓝光控制单元进行独立供电控制;
S3:先在蓝光LED芯片表面涂上荧光胶和光刻胶,选择一个蓝光控制单元对应的区域进行显影,对其他蓝光控制单元对应的区域进行曝光,然后去除显影部分的光刻胶,同时去除曝光区域的荧光胶;
S4:在蓝光LED芯片表面涂上另一颜色荧光胶和光刻胶,选择另外一个蓝光控制单元进行显影,对其他蓝光控制单元对应的区域进行曝光,然后去除显影部分的光刻胶,同时去除曝光区域的荧光胶;
S5:多次重复步骤S4的光刻曝光工艺,直至各蓝光控制单元表面分别涂布有不同的颜色的荧光胶;完成多色可控CSP芯片的制备。
较佳地,所述各独立的蓝光控制单元数量与大小可根据需要进行设置。
本发明具有以下有益效果:
本发明将IC制成工艺和光刻技术应用到LED CSP芯片封装工艺中,在单颗芯片上实现单颗芯片的微小化可控多色发光技术。
当然,实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
图1为本发明提供的微小化多色发光CSP芯片制作方法流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了本发明提供了一种微小化多色发光CSP芯片制作方法,其包括以下步骤:
S1:在蓝光LED芯片的衬底上制作多个独立的蓝光控制单元,并对各蓝光控制单元之间进行绝缘处理;
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