[发明专利]基于CMOS工艺的单次可编程只读存储器有效
| 申请号： | 201710083010.X | 申请日： | 2017-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN106783868B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 陆阳;王炜槐;韩广涛;陈佳;周逊伟 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子（张家港）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11529 | 分类号： | H01L27/11529 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 cmos 工艺 可编程 只读存储器 | ||
1.一种基于CMOS工艺的单次可编程只读存储器，包括选择管和存储器件，所述的选择管与存储器件串联，所述选择管的另一端作为只读存储器的正极连接端，所述存储器件的另一端作为只读存储器的负极连接端，并在该端上设有判限电流源；其特征在于：
所述的选择管与存储器件之间连接有压差产生器件，所述压差产生器件上的压降作为存储器件体端与源端的电压差。
2.根据权利要求1所述的基于CMOS工艺的单次可编程只读存储器，其特征在于：所述的压差产生器件至少包括一个MOS管，所述的MOS管的栅极与漏极短接。
3.根据权利要求2所述的基于CMOS工艺的单次可编程只读存储器，其特征在于：所述的压差产生器件还包括一个可控电流源，所述可控电流源的两端连接在所述MOS管的栅端和只读存储器的负极连接端。
4.根据权利要求2所述的基于CMOS工艺的单次可编程只读存储器，其特征在于：所述的压差产生器件包括多个串联的PMOS管或多个串联的NMOS管。
5.根据权利要求2或3所述的基于CMOS工艺的单次可编程只读存储器，其特征在于：所述压差产生器件上的压降在0.6～1.2V之间。
6.根据权利要求1-4任意一项所述的基于CMOS工艺的单次可编程只读存储器，其特征在于：所述的选择管为第一PMOS管，所述的存储器件为浮栅PMOS管，所述浮栅PMOS管的体端与所述只读存储器的正极连接端连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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