[发明专利]湿化学处理设备及其使用方法有效
申请号: | 201710083019.0 | 申请日: | 2017-02-16 |
公开(公告)号: | CN108447799B | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 赖必健;黄立佐;许明哲;叶荫晟 | 申请(专利权)人: | 弘塑科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 处理 设备 及其 使用方法 | ||
1.一种湿化学处理设备,其特征在于:所述湿化学处理设备包括:
一第一槽体,具有一第一入水口及一第一排水口;
一第二槽体,具有一第二入水口及一第二排水口,所述第二槽体位于所述第一槽体的侧部,其中所述第一槽体和所述第二槽体之间具有至少一用于液体进出的溢流口;
一泵浦,具有一进水口端及一出水口端,且所述进水口端前和/或所述出水口端后设置过滤器;
一第一管路,所述第一管路中具有一第一阀门,所述第一管路的两端分别连接至所述第二排水口与所述进水口端;
一第二管路,所述第二管路中具有一第二阀门,所述第二管路的两端分别连接至所述出水口端与所述第一入水口;
一第三管路,所述第三管路中具有一第三阀门,所述第三管路的一端连接至所述第一排水口,所述第三管路的另一端连接至所述第一阀门及所述进水口端之间的所述第一管路;以及
一第四管路,所述第四管路中具有一第四阀门,所述第四管路的一端连接至所述第二阀门及所述出水口端之间的所述第二管路,所述第四管路的另一端连接至所述第二入水口;
其中当开启所述第一阀门及所述第二阀门且关闭所述第三阀门及所述第四阀门时,所述湿化学处理设备处于升流流场模式;当关闭所述第一阀门及所述第二阀门且开启所述第三阀门及所述第四阀门时,所述湿化学处理设备处于降流流场模式;当关闭所述第一阀门、所述第二阀门、所述第三阀门及所述第四阀门或者关闭所述泵浦时,所述湿化学处理设备处于静止流场模式。
2.根据权利要求1所述的湿化学处理设备,其特征在于:所述第二槽体环绕于所述第一槽体的周围。
3.根据权利要求1所述的湿化学处理设备,其特征在于:所述第一槽体的底部具有所述第一入水口及所述第一排水口;所述第二槽体的底部具有所述第二入水口及所述第二排水口。
4.根据权利要求1所述的湿化学处理设备,其特征在于:所述第二槽体的外侧壁的高度大于所述第一槽体和所述第二槽体之间的连接壁的高度。
5.一种湿化学处理设备的使用方法,其特征在于:所述使用方法包括下面步骤:
提供一根据权利要求1所述的湿化学处理设备,所述湿化学处理设备包括一升流流场模式、一降流流场模式及一静止流场模式;
提供一液体至所述第一槽体中;以及
依所需选定所述湿化学处理设备的所述升流流场模式、所述降流流场模式及所述静止流场模式的其中之一,其中
当选定所述升流流场模式时,开启所述第一阀门和所述第二阀门、关闭所述第三阀门和所述第四阀门,以及开启所述泵浦,以致所述第一槽体中的所述液体流至所述第二槽体;
当选定所述降流流场模式时,关闭所述第一阀门和所述第二阀门、开启所述第三阀门和所述第四阀门,以及开启所述泵浦,以致所述第二槽体中的所述液体流至所述第一槽体;
当选定所述静止流场模式时,关闭所述第一阀门、所述第二阀门、所述第三阀门和所述第四阀门或者关闭所述泵浦,以致所述第一槽体及所述第二槽体中的所述液体皆处于静止状态。
6.根据权利要求5所述的湿化学处理设备的使用方法,其特征在于:所述第二槽体环绕于所述第一槽体的周围。
7.根据权利要求5所述的湿化学处理设备的使用方法,其特征在于:所述第一槽体的底部具有所述第一入水口及所述第一排水口;所述第二槽体的底部具有所述第二入水口及所述第二排水口。
8.根据权利要求5所述的湿化学处理设备的使用方法,其特征在于:所述第一槽体和所述第二槽体之间具有至少一用于液体进出的溢流口。
9.根据权利要求5所述的湿化学处理设备的使用方法,其特征在于:所述第二槽体的外侧壁的高度大于所述第一槽体和所述第二槽体之间的连接壁的高度。
10.根据权利要求5所述的湿化学处理设备的使用方法,其特征在于:所述液体包括清洗液或蚀刻液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造