[发明专利]一种晶振元件的制作方法及晶振元件在审

专利信息
申请号: 201710083878.X 申请日: 2017-02-16
公开(公告)号: CN106899277A 公开(公告)日: 2017-06-27
发明(设计)人: 华学兵 申请(专利权)人: 珠海迈科智能科技股份有限公司
主分类号: H03H3/02 分类号: H03H3/02;H03H9/05;H03H9/10;H03H9/17
代理公司: 广州三环专利代理有限公司44202 代理人: 温旭
地址: 519000 广东省珠*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 元件 制作方法
【权利要求书】:

1.一种晶振元件的制作方法,其特征在于,所述方法包括:

在所述晶振元件的主控晶振上开设一段凹槽;

对开设的所述凹槽的槽壁进行金属化处理;

通过波峰焊对金属化处理的所述晶振元件进行处理,使得晶振外壳与所述主控晶振上的金属化槽连接。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述晶振元件的主控晶振上开设一段凹槽,包括:

在所述晶振元件的主控晶振上的第一位置开设第一凹槽,其中,所述第一凹槽为圆弧形凹槽;

在所述晶振元件的主控晶振上的第二位置开设第二凹槽,其中,所述第二凹槽为圆弧形凹槽;

其中,所述第一凹槽与第二凹槽为对称凹槽。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述晶振元件的主控晶振上开设一段凹槽,具体为:

按照设定的凹槽深度以及设定的晶振罩到的凹槽的间隙开设所述凹槽。

4.一种晶振元件,其特征在于,所述晶振元件包括:

外壳;

主控晶振,所述主控晶振设置于所述外壳内,所述主控晶振设置第一连接端以及第二连端,所述主控晶振上设置有凹槽。

5.如权利要求4所述的晶振元件,其特征在于,在所述主控晶振的凹槽内壁设置金属层。

6.如权利要求4所述的晶振元件,其特征在于,所述第一凹槽开设在所述晶振元件的主控晶振上的第一位置,所述第二凹槽开设在所述晶振元件的主控晶振上的第二位置。

7.如权利要求4所述的晶振元件,其特征在于,所述第一凹槽为圆弧形凹槽,所述第二凹槽为圆弧形凹槽,所述第一凹槽与所述第二凹槽对称设置在所述主控晶振上。

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