[发明专利]一种平板陶瓷膜的自动涂膜装置及平板陶瓷膜的制备方法

权利要求书

1.一种平板陶瓷膜的自动涂膜装置，其特征在于，包括：

支撑体烘干装置，对未涂膜的支撑体进行预烘干；

浸膜槽，内部充有涂膜液，支撑体浸入涂膜液中，两侧外表面同时接触涂膜液；

涂膜后烘干装置，对涂膜后的支撑体进行烘干；

旋转轨道，携带所述支撑体依次通过支撑体烘干装置、浸膜槽以及涂膜后烘干装置；

控制柜，控制的参数包括：旋转轨道的步进速度，涂膜后烘干装置的烘干温度，工件在浸膜槽中的停留时间，支撑体烘干装置的烘干温度。

2.如权利要求1所述的平板陶瓷膜的自动涂膜装置，其特征在于：

其中，所述支撑体烘干装置的烘干温度为40-70℃，且温度可调。

3.如权利要求1所述的平板陶瓷膜的自动涂膜装置，其特征在于：

其中，涂膜后的烘干装置的烘干温度为70-120℃，且温度可调。

4.如权利要求1所述的平板陶瓷膜的自动涂膜装置，其特征在于：

其中，所述扁状卡箍包括：

第一夹臂和第二夹臂，二者的一端为转动连接，另一端为可拆卸连接；

第一夹臂和第二夹臂相接触的一面上具有防水片；第一夹臂和第二夹臂闭合后形成防水腔，所述支撑体的内部通道的左右两端分别位于一个所述防水腔中。

5.利用如权利要求1～4所述的装置制备平板陶瓷膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：配制涂膜液；

步骤二：将步骤一配制的涂膜液置入涂膜装置的浸膜槽中；

步骤三：使用扁状卡箍将平板陶瓷膜的支撑体的两端夹住，将支撑体的两端密封，防止涂膜液进入支撑体的内表面；将扁状卡箍与旋转轨道固定连接；

步骤四：设置浸浆时间、步进速度、浸膜槽前后的烘干温度等参数，然后启动装置进行自动涂膜；

步骤五：烧结，将步骤四中涂膜后的平板陶瓷膜放入隧道窑或梭式窑炉中烧结，升温速度为2-6℃/min，烧结温度为600-1500℃，保温2-4小时，降温速度为2-6℃/min，降温至调整为100-200℃后出窑检测，即为成品。

6.如权利要求5所述的平板陶瓷膜的制备方法，其特征在于：

其中，所述涂膜液的配制方法如下：

将0.5～2份1N硝酸投入100份去离子水中，低速搅拌3～10分钟后，缓慢加入10份氧化铝粉体，高速搅拌20～40分钟后，缓慢加入0.5～2份PVA粉末，继续高速搅拌20～40分钟，得到混合物A；

将混合物A置入真空度为0.005～0.02MPa真空装置内，低速搅拌20分钟以上。

7.如权利要求5所述的平板陶瓷膜的制备方法，其特征在于：

其中，在步骤四的涂膜过程中，所述支撑体先进入支撑体烘干装置中进行预烘干后，再浸入涂膜液中。

8.如权利要求5所述的平板陶瓷膜的制备方法，其特征在于：

其中，使用的硝酸当量浓度为1N，且所述1N硝酸的用量为0.5-2份。

9.如权利要求5所述的平板陶瓷膜的制备方法，其特征在于：

其中，使用的聚乙烯醇PVA为粉末状、化工级，且PVA的用量为0.5-2份。

10.如权利要求5所述的平板陶瓷膜的制备方法，其特征在于：

其中，所述低速搅拌的转速为1000-4900rpm，时间为5分钟，高速搅拌的转速为5000-12000rpm，时间为30分钟。