[发明专利]一种光栅耦合器有效
| 申请号： | 201710084329.4 | 申请日： | 2017-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN106873076B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 张彦峰;许鹏飞;陈钰杰;余思远 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | G02B6/124 | 分类号： | G02B6/124;G02B6/34 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光栅 耦合器 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光栅耦合器，其特征在于，包括：从下往上依次为带绝缘层和光栅层的晶片、氧化层和光波导层；其中，光栅层的折射率大于光波导层的折射率；
所述光栅层和光波导层均为预设周期的光栅结构；所述绝缘层上的光栅层作为分布式布拉格光栅反射镜；
该光栅耦合器制备方法，包括：
S1、以带绝缘层和光栅层的晶片为衬底，然后在光栅层的顶部从下到上依次外延生长氧化层和光波导层；
S2、进行单次的电子束光刻，并掩膜成型；
S3、对光波导层、氧化层和光栅层整体进行单次的等离子体刻蚀，得到光栅耦合器。
2.根据权利要求1所述的光栅耦合器，其特征在于，包括：
所述绝缘层上的光栅层为硅光栅层，所述光波导层为氮化硅光波导层。
3.根据权利要求1所述的光栅耦合器，其特征在于，包括：
所述绝缘层上的光栅层为砷化镓晶片或磷化铟晶片。
4.根据权利要求1所述的光栅耦合器，其特征在于，包括：
所述光波导层为预设配比的氮氧化硅、氧化硅光波导层。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的光栅耦合器，其特征在于，包括：所述光栅耦合器的预设光栅周期为均匀周期或非均匀周期。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学，未经中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710084329.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
