[发明专利]绝缘膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置在审
| 申请号： | 201710084378.8 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN107123682A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 冈崎健一;佐佐木俊成;横山周平;羽持贵士 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 叶培勇,姜甜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
1.一种半导体装置，包括：
绝缘膜；
所述绝缘膜上的氧化物半导体膜；
所述氧化物半导体膜上的源电极和漏电极；
所述源电极和所述漏电极上的栅极绝缘膜；
所述栅极绝缘膜上的栅电极；
电连接到所述源电极的第一布线；以及
电连接到所述漏电极的第二布线，
其中，所述氧化物半导体膜包括铟、镓和锌，
所述源电极和所述漏电极的每个包括透明导电材料，并且
所述第一布线和所述第二布线的每个包括金属。
2.一种半导体装置，包括：
绝缘膜；
所述绝缘膜上的第一氧化物半导体膜；
所述第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜；
所述第二氧化物半导体膜上的源电极和漏电极；
所述源电极和所述漏电极上的栅极绝缘膜；
所述栅极绝缘膜上的栅电极；
电连接到所述源电极的第一布线；以及
电连接到所述漏电极的第二布线，
其中，所述第一氧化物半导体膜和所述第二氧化物半导体膜的每个包括铟、镓和锌，
所述源电极和所述漏电极的每个包括透明导电材料，并且
所述第一布线和所述第二布线的每个包括金属。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述绝缘膜包括通过加热而释放的氧。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述透明导电材料包括氧化铟、氧化锡或氧化锌。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述金属是从铝、铜、钛、钽、钨和钼中选择的一个。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述氧化物半导体膜中铟浓度大于镓浓度。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体膜的铟、镓和锌的原子数比是4:2:3。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体膜包括c轴取向结晶部分。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述氧化物半导体膜包括第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域，
所述源电极与所述第一掺杂剂区域接触，并且
所述漏电极与所述第二掺杂剂区域接触。
10.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一氧化物半导体膜和所述第二氧化物半导体膜的一个的铟、镓和锌的原子数比是4:2:3。
11.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一氧化物半导体膜和所述第二氧化物半导体膜的一个的铟、镓和锌的原子数比是1:3:2。
12.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一氧化物半导体膜和所述第二氧化物半导体膜的一个包括c轴取向结晶部分。
13.根据权利要求2所述的半导体装置，
其中，所述第二氧化物半导体膜包括第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域，
所述源电极与所述第一掺杂剂区域接触，并且
所述漏电极与所述第二掺杂剂区域接触。
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