[发明专利]一种氧化钨纳米线及其制备方法

权利要求书

1.一种氧化钨纳米线晶型，其特征在于：所述晶型在衍射角度2θ在14.86°、28.72°、29.98°、34.78°、38.08°、45.76°、50.02°、52.42°、59.44°、62.56°、64.48°、70.06°处有衍射峰。

2.如权利要求1所述的氧化钨纳米线晶型，其特征在于：它具有如图1所示的X-射线粉末衍射图。

3.如权利要求1或2所述的氧化钨纳米线晶型，其特征在于：它的直径在10～25nm左右，长度在1～1.5μm左右。

4.如权利要求1～3任一项所述的氧化钨纳米线晶型的制备方法，其特征在于，它是按如下步骤制得的：

A.取0.009～0.011mol钨酸钠和0.01mol～0.1mol的聚乙烯吡咯烷酮K30(PVP-K30)，溶于40～60mL蒸馏水中，搅拌均匀；

B.将上述溶液逐滴滴入8～12mL浓度为2mol/L的盐酸中，移入聚四氟乙烯反应釜里，再装入不锈钢水热反应釜里，置于180℃搅拌24h使之反应完全，离心沉降，用酒精反复洗涤3～4次；

C.上述洗涤后置于真空干燥箱中，70～90℃干燥8～12h，得到粉末。

5.如权利要求4所述氧化钨纳米线晶型的制备方法，其特征在于，它是按如下步骤制得的：

A.取0.01mol钨酸钠和0.02mol的聚乙烯吡咯烷酮K30(PVP-K30)，溶于50mL蒸馏水中，搅拌均匀；

B.将上述溶液逐滴滴入10mL浓度为2mol/L的盐酸中，移入聚四氟乙烯反应釜里，再装入不锈钢水热反应釜里，置于180℃搅拌24h使之反应完全，离心沉降，用酒精反复洗涤3-4次；

C.上述洗涤后置于真空干燥箱中，80℃干燥10h，得到粉末。