[发明专利]半导体激光器侧面耦合轴向泵浦的碱金属激光器

权利要求书

1.一种半导体激光器侧面耦合轴向泵浦的碱金属激光器，包括n个半导体泵浦源、m个碱金属蒸气室和一谐振腔，其特征在于，还包括n个转向元件，与所述n个半导体泵浦源一一对应，用于分别改变所述n个半导体泵浦源发出的泵浦光的传播方向；不管所述n个转向元件如何设置，所述n个半导体泵浦源发出的泵浦光在所述m个碱金属蒸气室中最终为近轴光；其中，n、m为自然数，且所述泵浦光是从所述碱金属蒸气室的侧面入射，并在所述碱金属蒸气室中置入转向元件，令泵浦光转向并聚焦在中心轴线上。

2.如权利要求1所述的半导体激光器侧面耦合轴向泵浦的碱金属激光器，其特征在于，所述n个半导体泵浦源发出的泵浦光经对应的转换元件改变传播方向后，会聚点分别位于所述m个碱金属蒸气室内的不同位置。

3.如权利要求1所述的半导体激光器侧面耦合轴向泵浦的碱金属激光器，其特征在于，所述n个转向元件为偏振分光棱镜、中心有孔的平面反射镜、中心有孔的凹面反射镜和镀有双色膜的平面反射镜的任意组合。

4.如权利要求3所述的半导体激光器侧面耦合轴向泵浦的碱金属激光器，其特征在于，所述转向元件的主体材料为对近红外激光吸收率低于1％、透过率大于98％的材料。

5.如权利要求1所述的半导体激光器侧面耦合轴向泵浦的碱金属激光器，其特征在于，所述n个转向元件的位置为位于所述m个碱金属蒸气室的内部、左侧和右侧的任意组合。

6.如权利要求1所述的半导体激光器侧面耦合轴向泵浦的碱金属激光器，其特征在于，所述碱金属蒸气室为1个，转向元件为3个，其中2个转向元件位于所述碱金属蒸气室内部，1个转向元件位于所述碱金属蒸气室的左侧或右侧。

7.如权利要求1所述的半导体激光器侧面耦合轴向泵浦的碱金属激光器，其特征在于，所述碱金属蒸气室为1个，转向元件为5个，所述5个转向元件均位于所述碱金属蒸气室内。

8.如权利要求1所述的半导体激光器侧面耦合轴向泵浦的碱金属激光器，其特征在于，所述碱金属蒸气室为1个，转向元件为4个，其中2个转向元件位于所述碱金属蒸气室内，2个转向元件分别位于所述碱金属蒸气室的两侧。

9.如权利要求1所述的半导体激光器侧面耦合轴向泵浦的碱金属激光器，其特征在于，所述碱金属蒸汽室为2个，转向元件为8个，其中2个转向元件位于一碱金属蒸气室内，2个转向元件位于另一碱金属蒸气室内，4个转向元件分别位于所述2个碱金属蒸气室的两侧。

10.如权利要求1所述的半导体激光器侧面耦合轴向泵浦的碱金属激光器，其特征在于，所述n个半导体泵浦源为环形激光器、Bar条或叠阵激光器。