[发明专利]气体传感器装置、气体传感器模块及气体检测方法有效

专利信息
申请号: 201710085593.X 申请日: 2017-02-17
公开(公告)号: CN107436313B 公开(公告)日: 2021-08-27
发明(设计)人: 魏志强;本间运也;片山幸治;藤井觉 申请(专利权)人: 新唐科技日本株式会社
主分类号: G01N27/04 分类号: G01N27/04
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 周欣;陈建全
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 气体 传感器 装置 模块 检测 方法
【权利要求书】:

1.一种气体传感器装置,其具备多个气体传感器元件和多个开关;

所述多个开关分别与所述多个气体传感器元件中的对应的1个串联连接;

所述多个气体传感器元件分别具备:

第1导电层,

第2导电层,

金属氧化物层,其配置在所述第1导电层及所述第2导电层之间,包含块状区域和局部区域,所述局部区域与所述第2导电层相连,且与所述第1导电层不接触,而且被所述块状区域围着,且具有比所述块状区域大的欠氧度,和

绝缘膜,其被覆所述第1导电层、所述第2导电层及所述金属氧化物层,且具有使所述第2导电层的一部分露出的开口;

所述多个气体传感器元件各自的电阻值在含有氢原子的气体与所述第2导电层相接触时减小,

在所述多个气体传感器元件的各自中,所述第2导电层使所述氢原子从含在所述气体中的分子中解离,

所谓欠氧度是指金属氧化物中的氧的欠缺量相对于由与该金属氧化物相同的元素构成的化学计量组成的氧化物中的氧量的比例,其中,所谓氧的欠缺量为从化学计量组成的金属氧化物中的氧量中减去该金属氧化物中的氧量所得的值。

2.根据权利要求1所述的气体传感器装置,其中,

所述多个开关为多个晶体管。

3.根据权利要求2所述的气体传感器装置,其中,

所述多个晶体管配置在共同的基板上;

所述多个气体传感器元件分别配置在所述多个晶体管中的对应的1个之上。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的气体传感器装置,其中,

进一步具备选择电路,其通过使所述多个开关中的一部分成为接通状态,从而选择所述多个气体传感器元件中的一部分。

5.根据权利要求4所述的气体传感器装置,其中,

进一步具备对所述多个气体传感器元件中的所述一部分施加读出电压的电源电路。

6.根据权利要求5所述的气体传感器装置,其中,

进一步具备测定电路,其在对所述多个气体传感器元件的所述一部分施加所述读出电压时,对所述多个气体传感器元件的所述一部分中流动的电流进行测定。

7.根据权利要求6所述的气体传感器装置,其中,

所述电源电路进一步在所述测定电路测定电流之前,对所述多个气体传感器元件的所述一部分施加规定的电压,使所述多个气体传感器元件的所述一部分的电阻值增大。

8.根据权利要求7所述的气体传感器装置,其中,

所述规定的电压依次包含具有第1极性的第1电压脉冲、具有与所述第1极性相反的第2极性的第2电压脉冲、和具有所述第1极性的第3电压脉冲。

9.根据权利要求4所述的气体传感器装置,其中,

所述多个气体传感器元件的所述一部分为所述多个气体传感器元件中的至少两个。

10.根据权利要求1~3中任一项所述的气体传感器装置,其中,

所述第2导电层的所述一部分以能与所述气体接触的方式构成。

11.根据权利要求1~3中任一项所述的气体传感器装置,其中,

在所述多个气体传感器元件的各自中,所述金属氧化物层具备与第1导电层相接触的第1金属氧化物层、和与第2导电层相接触且包含所述块状区域的第2金属氧化物层;

所述第1金属氧化物层具有比所述第2金属氧化物层中包含的所述块状区域大的欠氧度,

在所述多个气体传感器元件的各自中,所述局部区域与所述第2导电层相接触,且贯通所述第2金属氧化物层,一部分侵入所述第1金属氧化物层中,

所述第1金属氧化物层配置在所述第1导电层与所述第2金属氧化物层之间,

所述第2金属氧化物层配置在所述第1金属氧化物层与所述第2导电层之间。

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