[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板有效
| 申请号： | 201710085932.4 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN106847890B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 曹英;刘祺;马超;杨津 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 任嘉文 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示 面板 | ||
1.一种氧化物薄膜晶体管制备方法，其特征在于，该方法包括：
设置氧化物半导体层；
在所述氧化物半导体层之上设置能与所述氧化物半导体层发生相互作用形成氧空位的保护层；
在所述保护层之上形成源极层和漏极层；
刻蚀所述源极层和所述漏极层覆盖范围之外的所述保护层；
令所述氧化物半导体层与所述保护层发生反应，以使所述保护层消失且所述氧化物半导体层在于所述保护层接触的部分形成氧空位。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物半导体层包括铟镓锌氧化物IGZO。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层包括碳薄膜。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述碳薄膜的厚度为5～10纳米。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀所述源极层和所述漏极层覆盖范围之外的所述保护层，具体包括：采用等离子刻蚀法刻蚀所述源极层和所述漏极层覆盖范围之外的所述保护层。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，采用等离子刻蚀法刻蚀所述源极层和所述漏极层覆盖范围之外的所述保护层，具体包括：采用包含氧等离子体的气体等离子体刻蚀所述源极层和所述漏极层覆盖范围之外的所述保护层。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过热退火工艺使所述氧化物半导体层在与保护层接触部分发生相互作用，在所述氧化物半导体层形成氧空位。
8.一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于，采用权利要求1～7任一权利要求所述的方法进行制备。
9.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求8所述的氧化物薄膜晶体管。
10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板。
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