[发明专利]一种用于钎焊的基板及其制备方法以及钎焊的方法

权利要求书

1.一种用于钎焊的基板，包括基板本体(1)、形成于所述基板本体(1)的至少一部分表面的凹槽(2)、以及沉积于所述基板本体(1)的形成有凹槽(2)的表面区域上的纳米颗粒层(4)；所述凹槽的深度为5-200微米，所述凹槽开口最大处的宽度为10-200微米；所述纳米颗粒层的厚度为0.1-5微米，孔隙率为5-90％；

沿垂直于凹槽的长度方向，所述凹槽的轮廓为选自弧形和“V”形中的至少一种；纳米颗粒层中纳米颗粒的直径小于1000纳米。

2.根据权利要求1所述的用于钎焊的基板，其中，所述凹槽的长度大于1毫米。

3.根据权利要求1所述的用于钎焊的基板，其中，沿凹槽的长度方向，所述凹槽形成为相互平行和/或相互交叉的多条。

4.根据权利要求3所述的用于钎焊的基板，其中，相互交叉的凹槽的夹角为60-90°，相邻两条平行的凹槽最深处的距离为10-500微米。

5.根据权利要求1所述的用于钎焊的基板，其中，所述基板本体的材料和纳米颗粒的材料各自独立地为金属材料、半导体材料、陶瓷材料或陶瓷基复合材料。

6.一种用于钎焊的基板的制备方法，该制备方法包括：

在基板本体的至少一部分表面上形成凹槽，所述凹槽的深度和所述凹槽开口最大处的宽度均小于1000微米；和

在基板本体的形成有所述凹槽的表面区域沉积纳米颗粒层，得到用于钎焊的基板；

沿垂直于凹槽长度的方向，所述凹槽的轮廓为选自弧形和“V”形中的至少一种；所述纳米颗粒层的厚度为0.1-5微米；孔隙率为5-90％；纳米颗粒层中纳米颗粒的直径小于1000纳米。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其中，所述凹槽的深度为5-200微米，所述凹槽开口最大处的宽度为10-200微米。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其中，所述凹槽的长度大于1毫米。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其中，沿凹槽长度的方向，所述凹槽形成为相互平行和/或相互交叉的多条。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其中，相互交叉的凹槽的夹角为60-90°，相邻两条平行的凹槽最深处的距离为10-500微米。

11.根据权利要求6所述的制备方法，其中，采用选自机械加工、激光加工、电解、化学刻蚀、光刻、压印和3D打印中的至少一种方式在基板本体的表面形成所述凹槽；其中，所述基板本体的表面粗糙度小于5微米。

12.根据权利要求6或11所述的制备方法，该方法还包括：在基板本体的表面形成所述凹槽之后进行清洗杂质；其中，所述杂质包括颗粒物。

13.根据权利要求6所述的制备方法，其中，所述沉积纳米颗粒层的方式为选自激光沉积、磁控溅射、匀胶法、物理气相沉积和化学气相沉积中的至少一种。

14.根据权利要求6所述的制备方法，其中，所述基板本体的材料和纳米颗粒的材料各自独立地为金属材料、半导体材料、陶瓷材料或陶瓷基复合材料。

15.一种采用权利要求1-5中任意一项所述的用于钎焊的基板进行钎焊的方法，该方法包括：在所述用于钎焊的基板的沉积有纳米颗粒层的表面区域施用钎料并进行钎焊。

16.根据权利要求15所述的钎焊的方法，其中，所述钎焊的条件包括：

所述钎焊的温度为150-450℃，钎料为选自锡铅合金、锡锌合金、铅铋合金、镉锌合金、锡银合金、锡铜合金、锡铅银合金、锡铅铋合金、锡铅铜合金和锌铝铜合金中的至少一种；或者

所述钎焊的温度为650-1150℃，钎料为选自铜银合金、铜银钛合金、铜铟钛合金、金银铜合金和镍铋硼合金中的至少一种。