[发明专利]薄膜沉积方法

说明书

本发明提供了一种薄膜沉积方法，包括：S1，预设沉积第一厚度薄膜的工艺参数，在该工艺参数下进行沉积；S2，将所述基片水平旋转一定角度；S3，预设沉积第二厚度薄膜的工艺参数，在该工艺参数下进行沉积；执行上述步骤S1～S3至少一次，直至沉积预设厚度的薄膜。该薄膜沉积方法可以获得厚度均匀性较好的薄膜。

技术领域

本发明属于薄膜沉积技术领域，具体涉及一种薄膜沉积方法。

背景技术

图1为现有的磁控溅射腔室的结构示意图，如图1所示，该磁控溅射腔室1内设置有承载基片10的卡盘9，且在卡盘9的正上方设置有靶材4，在溅射时DC电源会施加偏压至靶材4，使其相对于接地的腔体成为负压，以致氩气放电而产生等离子体，将带正电的氩离子吸引至负偏压的靶材4，当氩离子的能量足够高时，会使金属原子逸出靶材表面并沉积在基片10上；在靶材4的正上方设置有磁控管5，其在靶材4背部浸没在去离子水3中，其包括具有相反极性的内外磁极，可在靶材4表面形成一定的磁场分布，该磁场分布可以迫使等离子中的电子按照一定的轨道运动，增加了电子和要电离的气体的碰撞的机会，获得高密度的等离子体区，大幅度的提高溅射沉积速率，并在电机6的带动下按一定的速度旋转；使用具有一定重量的金属卡环(Clamp Ring)8将基片10以机械的方式压在卡盘9上进行溅射工艺。

采用图1所示的磁控溅射腔室在实际应用中受磁控管形状等硬件影响存在以下问题：沉积的薄膜在周向上的厚度的均匀性很差。

发明内容

本发明旨在解决现有技术中存在的技术问题，提供了一种薄膜的沉积方法，可以提高薄膜的厚度均匀性。

为解决现有技术中存在的技术问题之一，本发明提供了一种薄膜沉积方法，包括以下步骤：

S1，预设沉积第一厚度薄膜的工艺参数，在该工艺参数下进行沉积；

S2，将基片水平旋转一定角度；

S3，预设沉积第二厚度薄膜的工艺参数，在该工艺参数下进行沉积；

执行上述步骤S1～S3至少一次，直至沉积预设厚度的薄膜。

优选地，所述第一厚度等于第二厚度。

优选地，在步骤S2中，将所述基片水平旋转180°。

优选地，所述薄膜包括磁性薄膜。

优选地，所述磁性薄膜为镍铁薄膜。

优选地，在所述步骤S1和步骤S3中，工艺参数包括：溅射功率的范围为1W～2000W。

优选地，在所述步骤S1和步骤S3中，工艺参数包括：溅射工艺气体为氩气，气流量的范围为0.1sccm～200sccm。

优选地，所述薄膜沉积方法采用薄膜沉积腔室进行沉积，所述薄膜沉积腔室包括偏置磁场装置，用于在承载所述基片的卡盘表面形成水平磁场，该水平磁场用于在基片上沉积具有面内各向异性的磁性膜层。

本发明具有下述有益效果：

本发明提供的薄膜沉积方法，借助上述步骤S1～S3，可通过旋转基片来改变基片周向上的各个区域所处的不同的工艺环境，以补偿基片周向上的各个区域沉积的薄膜厚度差，从而能够提高薄膜的均匀性。

附图说明

图1为磁控溅射腔室的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的薄膜沉积方法的流程图；

图3为本发明实施例提供的薄膜沉积方法所采用的沉积腔室的结构示意图。

图4为步骤S1完成之后的薄膜状态图；

图5为薄膜沉积方法完成之后的薄膜状态图。