[发明专利]液晶显示面板及其像素电路结构

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器的技术领域，具体是涉及一种液晶显示面板及其像素电路结构。

背景技术

高分辨率，高PPI(Pixel per Inch)的面板显示画面精细和细腻，从而达到超高清显示，是显示科技发展的一个方向，对应的像素尺寸也随着分辨率和PPI的提高而减小，像素尺寸减小，单位面积的金属面积增加，相应开口率降低，对应的穿透率会降低，因此穿透率的是高分辨率高PPI像素设计一个重点考量因素。VA(Vertical Alignment)模式基于大视角的考虑，一般都会有大视角补偿的设计，即有放电电容(Cdown)，现有设计方案中，一般将放电电容设置在Com(公共电极)线上，这种设计会牺牲像素的开口率，进而降低产品穿透率。

发明内容

本发明实施例提供一种液晶显示面板及其像素电路结构，以解决现有技术中液晶显示面板由于像素开口率低而导致穿透率低的技术问题。

为解决上述问题，本发明实施例一方面提供了一种具有高穿透率的像素电路结构，所述像素电路结构包括数据线、第一扫描线以及第二扫描线，其中所述第一扫描线分别与主像素电极以及副像素电极的栅极连接，所述第二扫描线与分配电极的栅极连接，所述主像素电极和所述副像素电极的源极分别与所述数据线连接，漏极分别连接等效液晶电容；所述分配电极的源极与所述副像素电极的漏极连接，源极与所述第一扫描线之间设有第一放电电容。

根据本发明一优选实施例，所述第一放电电容与所述分配电极分别设于不同的扫描线上。

根据本发明一优选实施例，所述第一放电电容设于所述第一扫描线上。

根据本发明一优选实施例，所述分配电极设于所述第二扫描线上。

根据本发明一优选实施例，所述主像素电极和所述分配电极的漏极之间设有第二放电电容。

根据本发明一优选实施例，所述第二放电电容设于所述第一扫描线或者所述第二扫描线上。

根据本发明一优选实施例，所述第二放电电容设于所述第一扫描线上。

根据本发明一优选实施例，所述等效液晶电容的一端与分别与所述主像素电极和所述副像素电极的漏极连接，另一端分别与彩膜基板的公共电极连接。

根据本发明一优选实施例，所述主像素电极和所述副像素电极的漏极分别与保持电容的一端连接，所述保持电容的另一端与公共电极连接。

为解决上述技术问题，本发明实施例另一方面提供一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括上述实施例中任一项所述的像素电路结构。

相对于现有技术，本发明提供的液晶显示面板及其像素电路结构，在不改变大视角效果前提下，优化放电电容的设计位置，将其设计在扫描线(Gate)上，不占用面内开口区，可以大幅度提升开口率，进而提高液晶面板的穿透率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明具有高穿透率的像素电路结构第一实施例的电路图；

图2是图1实施例中像素电路结构的布线图；

图3是本发明具有高穿透率的像素电路结构第二实施例的电路图；

图4是图3实施例中像素电路结构的布线图；

图5是像素电路结构的电路控制波形图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明作进一步的详细描述。特别指出的是，以下实施例仅用于说明本发明，但不对本发明的范围进行限定。同样的，以下实施例仅为本发明的部分实施例而非全部实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

像素电路结构实施例1

请一并参阅图1和图2，图1是本发明具有高穿透率的像素电路结构第一实施例的电路图，图2是图1实施例中像素电路结构的布线图；该像素电路结构包括第一扫描线101、第二扫描线102以及数据线103。

具体而言，该第一扫描线101分别与主像素电极104以及副像素电极105开关的栅极连接，第一扫描线101用于控制主像素电极104(Main)和副像素电极105(Sub TFT)的开关；而第二扫描线102与分配电极106的栅极连接，第二扫描线102用于控制分配电极106(Sharing TFT)的开关，给Sub PE(Pixel electrode)放电。