[发明专利]非挥发性内存装置

权利要求书

1.一种非挥发性内存装置，其特征在于，包括：

一记忆胞数组，包括多个记忆胞；

一列译码器，耦接该记忆胞数组，译码一列地址信号，以选择驱动对应该列地址信号的字符在线的记忆胞；以及

一高压译码器，耦接该记忆胞数组，于进行抹除操作时，依据一抹除选择信号提供一抹除电压至被选择的记忆胞的抹除栅极，该高压译码器包括：

多个传输信道电路，分别耦接对应的记忆胞的抹除栅极，于对应的记忆胞被进行该抹除操作时，依据一抹除栅极控制信号限制传输至对应的抹除栅极的电流；

多个第一下拉电路，分别耦接于对应的记忆胞的抹除栅极与一接地之间，于对应的记忆胞被进行抹除操作时，断开对应的记忆胞与该接地间的连接；

多个第一晶体管，各该第一晶体管的一端耦接对应的记忆胞的控制栅极，各该第一晶体管的另一端依据对应的记忆胞的操作接收对应的电压，各该第一晶体管的基底端耦接各该第一晶体管的该另一端，多个第一晶体管于对应的记忆胞被选择时处于导通状态；

多个第二晶体管，各该第二晶体管的一端耦接对应的记忆胞的控制栅极，各该第二晶体管的另一端依据对应的记忆胞的操作接收对应的电压，各该第二晶体管的基底端耦接到各该第二晶体管的该另一端，多个第二晶体管于对应的记忆胞被选择时处于导通状态；以及

多个第三晶体管，多个第三晶体管的一端耦接对应的记忆胞的控制栅极，多个第三晶体管的另一端耦接该接地，多个第三晶体管的基底端耦接到多个第二晶体管的该另一端，多个第三晶体管于对应的记忆胞被选择时处于断开状态，其中于进行该抹除操作时，被选择的记忆胞所对应的第二晶体管的该另一端接收的电压为负电压或零。

2.根据权利要求1所述的非挥发性内存装置，其特征在于，该列译码器包括多个晶体管群组，其中各该晶体管群组包括多个字符线电路，该列译码器译码该列地址信号而产生一群组选择信号、一反相群组选择信号以及一字符线选择信号，并依据该群组选择信号、该反相群组选择信号以及该字符线选择信号选择多个晶体管群组，并驱动被选择的字符线电路对应的字符线。

3.根据权利要求2所述的非挥发性内存装置，其特征在于，各该字符线电路包括：

一传输栅，该传输栅的一端耦接对应的字符线，另一端接收该字符线选择信号，自被选择的晶体管群组中选择对应该字符线选择信号的字符线，以驱动与被选择的字符线电路对应的字符线；以及

一第二下拉电路，耦接于对应的字符线与该接地之间，该第二下拉电路接收该反相群组选择信号，于该第二下拉电路对应的字符线被选择时断开对应的字符线与该接地间的连接。

4.根据权利要求2所述的非挥发性内存装置，其特征在于，该高压译码器依据该反相群组选择信号产生一使能信号，各该传输信道电路包括：

一传输栅，该传输栅的一端耦接对应的记忆胞的抹除栅极，另一端依据对应的记忆胞的操作接收对应的电压，该传输栅的P型晶体管的基底端耦接该传输栅的该另一端，该传输栅的第一控制端和第二控制端分别接收该抹除栅极控制信号对，于对应的记忆胞被进行该抹除操作时，该传输栅受控于抹除栅极控制信号对而改变其导通程度。

5.根据权利要求4所述的非挥发性内存装置，其特征在于，该抹除栅极控制信号对包括一第一抹除栅极控制信号以及一第二抹除栅极控制信号，该非挥发性内存装置还包括：

一第一抹除栅极控制信号产生电路，产生该第一抹除栅极控制信号，该第一抹除栅极控制信号产生电路包括：

一第一P型晶体管，其源极耦接一系统最高电压；以及

一第一N型晶体管，与该第一P型晶体管串接于该系统最高电压与一第一电压之间，该第一P型晶体管与该第一N型晶体管的栅极接收该使能信号，并于该第一N型晶体管的漏极传输该第一抹除栅极控制信号；以及

一第二抹除栅极控制信号产生电路，产生该第二抹除栅极控制信号，该第二抹除栅极控制信号产生电路包括：

一第二P型晶体管，其源极耦接一第二电压；以及

一第二N型晶体管与第二P型晶体管串接于第二电压与接地之间，第二P型晶体管与第二N型晶体管的栅极接收反向使能信号，并于第二P型晶体管的漏极传输第二抹除栅极控制信号。