[发明专利]电阻式存储器有效
申请号: | 201710089103.3 | 申请日: | 2017-02-20 |
公开(公告)号: | CN107316938B | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
发明(设计)人: | 张鼎张;张冠张;蔡宗鸣;施志承;潘致宏 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
代理公司: | 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙) 11301 | 代理人: | 刘祖芬 |
地址: | 中国台湾高*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电阻 存储器 | ||
1.一种电阻式存储器,其特征在于,包括:
两个电极,相互分离;
一个围阻体,设有一个通道;及
一个含氧变阻层,阻绝该围阻体的通道,该含氧变阻层由一个底部、一个富氧部及一个顶部堆栈而成,该富氧部由氧化物掺杂含量百分比最多不大于10%的金属元素组成,该两个电极及该围阻体共同包夹该含氧变阻层,构成该两个电极及该围阻体的元素均不含氧,该两个电极中的其中一个设于该通道内,该含氧变阻层架设于连通该通道的一开口。
2.根据权利要求1所述的电阻式存储器,其特征在于,该两个电极由不含氧的金属材料构成。
3.根据权利要求2所述的电阻式存储器,其特征在于,该金属材料为铱、铂、金、氮化钛、铪、钽或钨。
4.根据权利要求1所述的电阻式存储器,其特征在于,该围阻体由碳化硅、四氮化三硅或氮化硼构成。
5.根据权利要求1所述的电阻式存储器,其特征在于,该含氧变阻层由氧化物掺杂硼、碳、氮、氟、氯、溴或其组成的群组组成。
6.根据权利要求1所述的电阻式存储器,其特征在于,该围阻体叠设于该两个电极中的其中一个。
7.根据权利要求6所述的电阻式存储器,其特征在于,该含氧变阻层由该围阻体的通道内的电极向外延伸至该通道外的围阻体,且该含氧变阻层于该围阻体的通道形成一个槽部。
8.根据权利要求7所述的电阻式存储器,其特征在于,该含氧变阻层于该通道外形成的端部由该两个电极中的另一个与该围阻体共同封闭。
9.根据权利要求6所述的电阻式存储器,其特征在于,该含氧变阻层设于该通道内。
10.根据权利要求7、8或9所述的电阻式存储器,其特征在于,该两个电极中的另一个由该围阻体的通道内的含氧变阻层向外延伸,并于该围阻体的通道形成一个凹部。
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