[发明专利]抗电浆胶带以及半导体封装的制程方法

说明书

本发明公开了一种抗电浆胶带以及半导体封装的制程方法，抗电浆胶带包含有一基材以及形成于该基材上的一黏着层，其中该黏着层选自由丙烯酸黏合剂、光固化树脂与光起始剂所构成的群组的其中之一。于一电浆清洗制程前，该抗电浆胶带黏贴于该半导体封装的一导线架的一背面，于一模封制程后，该抗电浆胶带自该导线架移除。于该抗电浆胶带通过照射一能量射线而固化及自导线架移除后，于该半导体封装的一模封塑料上不会遗留残胶，该模封塑料于该模封制程中所形成。

技术领域

本发明涉及一种抗电浆胶带以及一种半导体封装的制程方法，尤其涉及一种可避免在半导体封装的模封塑料上遗留残胶的抗电浆胶带以及使用该种抗电浆胶带的半导体封装的制程方法。

背景技术

一般而言，包含导线架(Leadframe)的四方扁平无引脚封装(Quad Flat No LeadPackage，QFN)是由一半导体制程方法所制造，而公知的制造QFN的方法大致如下：于一黏贴胶带的制作过程中，将一胶带黏贴于导线架的一背面；于一电浆清洗过程中，用电浆气体清洗导线架；于黏晶(Die Bonding)过程及焊线(Wire Bonding)过程中，将芯片黏着于导线架的一正面，以及将复数个引脚(Lead)利用焊线与芯片(Die)进行电性连接；于一模封过程中，将导线架与安装于导线架上的半导体组件密封于模封塑料(如环氧树脂)中，最后，于一撕除胶带过程中，将胶带自导线架移除/撕除。

然而，在电浆清洗的过程中，传统胶带会与电浆气体产生反应(其可为物理性或化学性反应)，也就是说，电浆气体可能会侵蚀胶带，使得胶带的材料特性会因电浆气体而有所改变，然而，当胶带与模封塑料之间的黏性增强时，会导致撕除胶带后在模封塑料上遗留残胶。

详细而言，请参考图10，图10所示为一半导体封装12进行撕除胶带的剖面示意图。半导体封装12包含有一导线架LF’、一芯片DE’、焊线WR’以及一模封塑料MC’，其中导线架LF’包含有一芯片垫PD’与引脚LD’。如图10所示，当一传统胶带AHV于撕除胶带的过程中自该导线架上被移除/撕除时，模封塑料MC’上会遗留残胶RA。而残胶会对后续半导体封装的过程(如半导体封装的测试)带来麻烦，例如，需增加额外的清洗过程(如水刀清洗或药液清洁)以清洗所述残胶，进而导致半导体封装的制造成本增加。

因此，如何避免模封塑料上遗留残胶而又不产生额外成本，就成了业界所努力的目标之一。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种抗电浆胶带以及半导体封装的制程方法，其可不在半导体封装的模封塑料上遗留残胶，以改进先前技术的缺点。

本发明为达上述目的所提供的技术方案如下：

一种抗电浆胶带，应用于制造一半导体封装的一制程，其中于一电浆清洗制程前，所述抗电浆胶带黏贴于所述半导体封装的一导线架的一背面，于一模封制程后，所述抗电浆胶带自所述导线架移除；所述抗电浆胶带包含：

一基材；以及

一黏着层，形成于所述基材上，其中所述黏着层选自由丙烯酸黏合剂、光固化树脂与光起始剂所构成的群组的其中之一；

其中，于所述电浆清洗制程前，所述抗电浆胶带通过照射一能量射线而固化；

其中，当所述抗电浆胶带从所述导线架移除后，所述半导体封装的一模封塑料上不会遗留残胶，所述模封塑料于所述模封制程中所形成。

本发明提出的上述抗电浆胶带，可用于制作半导体封装的过程中，在进行电浆清洗前，将该抗电浆胶带黏贴于所述半导体封装的导线架的背面并采用能量射线照射而使其固化(以防止电浆气体侵蚀黏着层)，因此最后所述抗电浆胶带自所述导线架移除后，所述半导体封装的一模封塑料上不会遗留残胶。

一种半导体封装的制程方法，包括以下步骤：