[发明专利]氟硼酸锂非线性光学晶体的制备方法和用途

权利要求书

1.一种氟硼酸锂非线性光学晶体的生长方法，其特征在于该晶体的分子式为Li₂B₆O₉F₂，分子量为260.7，属于单斜晶系，空间群为Cc₃，晶胞参数为：a =4.8211(12)Å，b = 16.149(4) Å，c = 10.057(3)Å，Z=4，V=782.5(3) ų，采用坩埚下降法生长出大尺寸氟硼酸锂晶体，具体操作按下列步骤进行：

a、按摩尔比Li:B:O:F=1-3:4-7:6-11:1-3称取后，仔细研磨，混合均匀后，将样品装入石英管或坩埚中抽真空并密封，其中所用坩埚为石墨坩埚、铂金坩埚或陶瓷坩埚；

b、将步骤a中的容器密封并置于坩埚下降炉中，升温至300-600℃，保温10-20小时，调整容器位置，使自发成核温度350-500℃，再以0.05-2mm/h的速度缓慢降低容器，同时，保持生长温度不变或以温度1-3℃/h的速率缓慢降温，待生长结束后，将生长炉温度降至30℃，取出容器，即得到尺寸为1-20mm的Li₂B₆O₉F₂单晶晶体。