[发明专利]显示装置、电子设备和制造显示装置的方法有效

专利信息
申请号: 201710090076.1 申请日: 2012-10-25
公开(公告)号: CN106896593B 公开(公告)日: 2021-02-05
发明(设计)人: 松岛寿治 申请(专利权)人: 株式会社日本显示器
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王增强
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 显示装置 电子设备 制造 方法
【说明书】:

本发明提供一种显示装置、电子设备和制造显示装置的方法。该显示装置包括电极层和液晶层。该电极层包括第一电极和第二电极,第二电极与第一电极相对且具有延伸在相同延伸方向上的多个开口。该液晶层设置在电极层上,该液晶层在开口一侧附近区域中的液晶分子和该液晶层在开口另一侧附近区域中的液晶分子在彼此相反的方向上旋转且配向,该开口的该一侧和该另一侧在开口的宽度方向上彼此相对。

本申请是申请日为2012年10月25日、申请号为201210413075.3、发明名称为“显示装置、电子设备和制造显示装置的方法”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及由横向电场或特别是FFS(边缘场转换)模式控制液晶分子的显示装置、电子设备以及制造该显示装置的方法。

背景技术

液晶显示装置根据电场的方向大略地分成垂直电场型和横向电场型。横向电场型比垂直电场型更有优势在于:横向电场型提供宽的视角。这样的横向电场型包括IPS(面内转换)模式和FFS模式(日本专利特开第2008-52161号公报)。

在IPS模式中,像素电极和公用电极设置在相同层中,并且电场主要生成在仅平行于基板表面的方向上。因此,电场不容易形成在像素电极正上方的区域中,并且像素电极正上方的区域中的液晶分子不能被驱动。另一方面,在FFS模式中,像素电极和公用电极彼此重叠,像素电极和公用电极之间插设有电介质膜,并且生成在相对于基板表面的倾斜方向上的电场或径向形式的电场,从而可驱动在像素电极正上方区域中的液晶分子。就是说,FFS模式提供比IPS模式更高的开口率。

发明内容

然而,与其它液晶显示装置一样,这样的FFS模式的液晶显示装置具有响应速度慢的问题。

基于这样的问题,提出了本发明。所希望的是提供具有更快响应速度的显示装置、电子设备和制造该显示装置的方法。

根据本发明的实施例,所提供的显示装置包括:电极层,包括第一电极和第二电极,第二电极与第一电极相对且具有延伸在相同延伸方向上的多个开口;以及液晶层,设置在电极层上,液晶层在开口一侧附近区域中的液晶分子和液晶层在开口另一侧附近区域中的液晶分子在彼此相反的方向上旋转且配向,该开口的该一侧和该另一侧在开口的宽度方向上彼此相对。根据本发明实施例的电子设备包括上述的显示装置。

根据本发明的实施例,提供了制造显示装置的方法,该方法包括:形成包括第一电极和第二电极的电极层,第二电极与第一电极相对且具有延伸在相同延伸方向上的多个开口;以及在进行配向处理后,在电极层上形成液晶层,使得液晶层在开口一侧附近区域中的液晶分子和液晶层在开口另一侧附近区域中的液晶分子在彼此相反的方向上旋转且配向,该开口的该一侧和该另一侧在开口的宽度方向上彼此相对。

显示装置、电子设备和制造显示装置的方法缩短了响应时间,这是因为开口一侧附近区域中的液晶分子和开口另一侧附近区域中的液晶分子在施加电压时在彼此相反的方向上旋转且配向。

根据该显示装置、电子设备和制造显示装置的方法,开口一侧附近区域中的液晶分子和开口另一侧附近区域中的液晶分子在彼此相反的方向上旋转且配向。因此,可改善响应速度特性。因此,除了通过横向电场区域实现的宽视角和高开口率外,还能够实现响应速度的提高。

附图说明

图1是根据第一实施例的显示装置结构的截面图;

图2A和2B是图1所示公用电极构造的平面图;

图3是图2A和2B所示拐角部分修改示例的平面图;

图4是图2A和2B所示公用电极修改示例的平面图;

图5A和5B是图1所示液晶层的液晶分子运动的平面图;

图6是示意性地示出图5A和5B所示的在公用电极之上的液晶分子的旋转方向的平面图;

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