[发明专利]发光-电荷传输复合物、含有其的墨水、其制备方法及QLED器件有效

专利信息
申请号: 201710090459.9 申请日: 2017-02-20
公开(公告)号: CN106848079B 公开(公告)日: 2019-08-27
发明(设计)人: 谢松均 申请(专利权)人: 纳晶科技股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 赵囡囡;梁文惠
地址: 310052 浙江省杭州市滨*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 发光 电荷 传输 复合物 含有 墨水 制备 方法 qled 器件
【说明书】:

发明提供了发光‑电荷传输复合物、含有其的墨水、其制备方法及QLED器件。该发光‑电荷传输复合物包括:核壳量子点,具有核和壳层;电荷传输部,电荷传输部为无机纳米晶;以及交联部,壳层与电荷传输部通过交联部进行连接。将现有技术中作为发光层的核壳量子点和作为传输层的电荷传输部通过交联部交联,实现了发光和传输功能集成在一个复合物中,进而在制作QLED器件时,利用该发光‑电荷传输复合物形成的膜结构既具有发光层的功能又具有传输层的功能,因此可以通过一次溶液法即可形成具有两种功能的膜层,减少了溶液法的实施次数,进而简化了QLED器件的制作流程。

技术领域

本发明涉及发光器件领域,具体而言,涉及一种发光-电荷传输复合物、含有其的墨水、其制备方法及QLED器件。

背景技术

量子点(Quantum Dot,简称QD)通常是一种由II-VI族或III-V族元素组成的纳米颗粒,受激后可以发射荧光,且发光光谱可以通过改变量子点的尺寸大小来控制,且其荧光强度和稳定性都很好,是一种很好的电致发光材料。量子点的种类很多,代表性的有II-VI族的CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe等和III-V族GaAs、GaP、GaAs、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等,以及由上述元素构成的核壳结构的量子点。

与一般有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)显示器件相比,量子点发光二极管显示器件(Quantum Dot Light-Emitting Display,简称QLED)是使用量子点发光层材料的显示设备。由于量子点为无机材料,可以克服有机发光材料对氧气和水汽敏感、稳定性差、寿命短、封装难度大等缺点,具有广阔的发展前景。

常规的QLED器件结构包括依次叠置的阳极/空穴传输层(多层)/量子点发光层/电子阻挡层/电子传输层/阴极,且目前通常采用溶液法制备各膜层结构,但溶液法制备各膜层时需要调整很多参数才能得到优良的膜层,导致现有的QLED器件的制备方法繁琐。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种发光-电荷传输复合物、含有其的墨水、其制备方法及QLED器件,以解决现有技术中的QLED器件制备方法繁琐的问题。

为了实现上述目的,根据本发明的一个方面,提供了一种发光-电荷传输复合物,包括:核壳量子点,具有核和壳层;电荷传输部,电荷传输部为无机纳米晶;以及交联部,壳层与电荷传输部通过交联部进行连接。

进一步地,上述电荷传输部包括具有空穴传输功能的第一无机纳米晶或具有电子传输功能的第二无机纳米晶,可选地第一无机纳米晶的表面具有第一配体,第一无机纳米晶优选为NiOX纳米晶、NiMgOX纳米晶、p型ZnO纳米晶、CuO纳米晶、Cu2O纳米晶、Fe3O4纳米晶、FeO纳米晶、V2O5纳米晶、MnTiO3纳米晶、BaTiO3纳米晶、HgS纳米晶、PbS纳米晶、SnS纳米晶、MnS纳米晶,其中1≤x≤2;可选地第二无机纳米晶的表面具有第二配体,第二无机纳米晶优选为ZnO纳米晶、TiO2纳米晶、SrTiO2纳米晶、MgTiO3纳米晶、In2S3纳米晶、TiS纳米晶。

进一步地,上述核壳量子点的壳层表面具有表面配体,第一配体与表面配体的溶解性相同,第二配体与表面配体的溶解性相同,表面配体为油溶性羧酸类配体、醇溶性巯基羧酸类配体或醇溶性巯基醇类配体,优选醇溶性巯基羧酸类配体为巯基乙酸配体、巯基丙酸配体或巯基丁酸配体,优选醇溶性巯基醇类配体为巯基乙醇配体或巯基己醇配体。

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