[发明专利]一种薄膜压力传感器及其制造方法在审
申请号: | 201710090793.4 | 申请日: | 2017-02-20 |
公开(公告)号: | CN106768524A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 彭银桥;雷桂斌;甘元驹;付东洋;王淑青;陈月峰 | 申请(专利权)人: | 广东海洋大学 |
主分类号: | G01L1/22 | 分类号: | G01L1/22;G01L9/04 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人: | 张月光,林伟斌 |
地址: | 524088 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 压力传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种薄膜压力传感器,其特征在于,包括弹性基座(1)、绝缘层(2)、薄膜应变电阻(3)、电极区(4)、钝化层(5)及金薄膜(6);所述绝缘层(2)设于弹性基座(1)上,且绝缘层(2)为厚膜绝缘介质浆料层;薄膜应变电阻(3)及电极区(4)均设于所述绝缘层(2)上;薄膜应变电阻(3)及表面暴露的绝缘层(2)上均设有钝化层(5);所述金薄膜(6)设于电极区(4)上以形成电极焊接区。
2.根据权利要求1所述的一种薄膜压力传感器,其特征在于,所述钝化层(5)为四氮化三硅钝化层(5)。
3.根据权利要求2所述的一种薄膜压力传感器,其特征在于,所述四氮化三硅钝化层(5)的厚度为0.3~0.5μm。
4.根据权利要求1所述的一种薄膜压力传感器,其特征在于,所述弹性基座(1)包括圆形平膜片(11)及不锈钢支撑架(12),所述不锈钢支撑架(12)设于圆形平膜片(11)的周边;所述绝缘层(2)设于圆形平膜片(11)上。
5.根据权利要求1所述的一种薄膜压力传感器,其特征在于,薄膜应变电阻(3)及电极区(4)均为镍铬合金薄膜结构。
6.根据权利要求5所述的一种薄膜压力传感器,其特征在于,所述镍铬合金薄膜结构的厚度为0.1~0.3μm。
7.根据权利要求1至6任一项所述的一种薄膜压力传感器,其特征在于,所述绝缘层(2)的厚度为50~60μm。
8.一种薄膜压力传感器的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1.在弹性基座(1)上均匀涂覆厚膜绝缘介质浆料并烧结以形成厚膜绝缘介质浆料层;
S2.在厚膜绝缘介质浆料层上溅射一层薄膜应变电阻层,在薄膜应变电阻层上使用光刻的方法加工形成薄膜应变电阻(3)及电极区(4);
S3.在薄膜应变电阻(3)及表面暴露的绝缘层(2)上覆盖钝化层(5);
S4.在电极区(4)上溅射金薄膜(6)以形成电极焊接区。
9.根据权利要求8所述的一种薄膜压力传感器的制造方法,其特征在于,步骤S1中将厚膜绝缘介质浆料均匀涂覆在弹性基座(1)上,在125℃下干燥20分钟后,在空气中经850℃烧结10分钟以完成第一次烧结,再在已进行了第一次烧结的弹性基座(1)上进行与第一次烧结工艺相同条件的第二次烧结,经过两次同样条件的烧结后形成厚膜绝缘介质浆料层。
10.根据权利要求8所述的一种薄膜压力传感器的制造方法,其特征在于,步骤S3中所述钝化层(5)为四氮化三硅钝化层(5)。
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