[发明专利]用于将离子注入到半导体衬底中的方法和注入系统

说明书

公开了用于将离子注入到半导体衬底中的方法和注入系统。该方法包括向半导体衬底中执行离子的测试注入。在半导体衬底上以第一注入角度范围注入测试注入的离子。此外，该方法包括在测试注入之后基于半导体衬底来确定注入角度偏移，以及基于确定的注入角度偏移来调整半导体衬底相对于注入方向的倾斜角度。另外，该方法包括在倾斜角度的调整之后向半导体衬底中执行离子的至少一个目标注入。在半导体衬底上以第二注入角度范围注入至少一个目标注入的离子。此外，第一注入角度范围大于第二注入角度范围。

技术领域

各实施例涉及用于离子注入的构思，并且具体地涉及用于将离子注入到半导体衬底中的方法和注入系统。

背景技术

一些半导体器件可需要或可通过使用深沟道注入来改善。然而，由于困难或不可再现性，难以可靠地实施生产中的要求。如图7所示，至少三个影响变量会对0°注入时的期望沟道效应具有不利影响，例如，该影响变量为晶片所处的台板710的取向精度、离子束发散720和晶片切割角度730(此外在载体支撑的晶片的情况下晶片和载体之间的角度偏移)。

发明内容

可能存在提供用于注入离子的构思的需求，该构思允许提高注入的再现性和/或精度和/或可靠性。

这样的需求可通过权利要求的主题来满足。

一些实施例涉及一种用于将离子注入到半导体衬底中的方法。该方法包括向半导体衬底中执行离子的测试注入。在半导体衬底上以第一注入角度范围注入测试注入的离子。此外，该方法包括在测试注入之后基于半导体衬底来确定注入角度偏移，以及基于确定的注入角度偏移来调整半导体衬底相对于注入方向的倾斜角度。另外，该方法包括在倾斜角度的调整之后向半导体衬底中执行离子的至少一个目标注入。在半导体衬底上以第二注入角度范围注入至少一个目标注入的离子。此外，第一注入角度范围大于第二注入角度范围。

另一些实施例涉及一种注入系统，其包括配置为向半导体衬底中执行离子的测试注入的第一离子注入模块和配置为确定指示在测试注入期间发生沟道条件的半导体衬底处的位置的沟道信息的测量模块。此外，注入系统包括配置为基于沟道信息确定注入角度偏移的处理模块。第一或第二离子注入模块配置为基于所确定的注入角度偏移来调整半导体衬底相对于注入方向的倾斜角度。此外，第一或第二离子注入模块配置为在倾斜角度的调整之后向半导体衬底中执行离子的至少一个目标注入。

附图说明

下面将仅通过示例并参考附图来描述设备和/或方法的一些实施例，附图中

图1示出了用于将离子注入到半导体衬底中的方法的流程图；

图2a示出了具有去激活的角度校正的离子注入的示意图；

图2b示出了具有激活的角度校正的离子注入的示意图；

图3示出了半导体晶片上的晶体缺陷或电荷载流子密度分布；

图4示出了在移动通过离子束时半导体衬底的倾斜角的变化；

图5A示出了注入系统的示意图；

图5B示出了另一注入系统的示意图；

图6示出了光热测量系统的示意图；以及

图7示出了对沟道效应的影响变量的示意图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述各种示例实施例，在附图中示出了一些示例实施例。在附图中，为了清楚起见，线、层和/或区域的厚度可能被夸大。

因此，尽管示例性实施例能够具有各种变型和替代形式，其实施例通过附图中的示例的方式示出并且将在本文中详细描述。然而，应当理解，没有意图将示例实施例限制为所公开的特定形式，而是相反，示例实施例将覆盖落入本公开范围内的所有变型、等同物和替代物。在附图的整个描述中，相同的附图标记表示相同或相似的元件。