[发明专利]发光元件及发光元件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201710092315.7 申请日: 2017-02-21
公开(公告)号: CN108461608B 公开(公告)日: 2019-11-12
发明(设计)人: 陈怡宏;梁永隆 申请(专利权)人: 鼎元光电科技股份有限公司
主分类号: H01L33/52 分类号: H01L33/52;H01L33/62;H01L33/36;H01L33/38
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤保平
地址: 中国台湾新竹科学*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 欧姆接触层 导电氧化层 外延层 接合金属层 发光元件 基板 绝缘层 导线电性连接 侧边 制造
【权利要求书】:

1.一种发光元件的制造方法,包括:

设置一第一基板;

形成一外延层于该第一基板上;

形成一导电氧化层于该外延层上;

形成一第一接合金属层于该导电氧化层上;

设置一第二基板;

形成一第二接合金属层于该第二基板上;

键结该第一接合金属层及该第二接合金属层;

移除该第一基板;

移除部分该外延层;

移除部分的该第一接合金属层、该第二接合金属层与该导电氧化层;

形成一绝缘层,以包覆该第二基板、该第一接合金属层、该第二接合金属层、该导电氧化层与该外延层;

移除于该第二基板、该导电氧化层与该外延层上的部分该绝缘层,以暴露部分该第二基板的一表面、该导电氧化层的一表面与该外延层的一表面;

形成一第一欧姆接触层于该第二基板的该表面上;

形成一第二欧姆接触层于该外延层的该表面上;

形成一第三欧姆接触层于该导电氧化层的该表面上;以及

形成一导线,以连接该第一欧姆接触层及该第二欧姆接触层。

2.如权利要求1所述的发光元件的制造方法,还包括消减该第二基板的一厚度的步骤。

3.如权利要求2所述的发光元件的制造方法,还包括以一黏着技术黏贴该发光元件至一电路板的步骤。

4.如权利要求2所述的发光元件的制造方法,其中该发光元件的一厚度介于80至350微米之间。

5.如权利要求3所述的发光元件的制造方法,其中该黏着技术包括表面黏着技术。

6.如权利要求1所述的发光元件的制造方法,其中移除部分该外延层的步骤包括移除一第一侧边以及一第二侧边的该外延层,以暴露部分该导电氧化层。

7.如权利要求6所述的发光元件的制造方法,其中移除部分该第一接合金属层、该第二接合金属层与该导电氧化层的步骤包括移除一第一侧边的该第一接合金属层、该第二接合金属层以及该导电氧化层。

8.如权利要求1所述的发光元件的制造方法,其中该第二基板包括不导电基板。

9.如权利要求1所述的发光元件的制造方法,其中该第二基板包括透光基板或不透光基板。

10.一种发光元件,包括:

一基板;

一接合金属层,设置于该基板的一第一部分表面上;

一导电氧化层,设置于该接合金属层上;

一外延层,设置于该导电氧化层的一第一部分表面上;

一绝缘层,设置于该接合金属层、该导电氧化层及该外延层的一第一侧边,以及设置于该外延层的一第一部分表面上;

一第一欧姆接触层,设置于该基板的一第二部分表面上;

一第二欧姆接触层,设置于该外延层的一第二部分表面上;

一第三欧姆接触层,设置于该导电氧化层的一第二部分表面上;以及

一导线,电性连接该第一欧姆接触层及该第二欧姆接触层。

11.如权利要求10所述的发光元件,其中该绝缘层包括二氧化硅或氮化硅。

12.如权利要求10所述的发光元件,其中该绝缘层还包括设置于该外延层的一第三部分表面上,以及设置于该外延层的一第二侧边以及该第三欧姆接触层之间。

13.如权利要求10所述的发光元件,其中该导线的宽度小于一焊球的一直径。

14.如权利要求10所述的发光元件,还包括一电路板,电性连接该第二欧姆接触层及该第三欧姆接触层。

15.如权利要求14所述的发光元件,其中该电路板以银胶或锡膏电性连接该导线以及该第三欧姆接触层。

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