[发明专利]显示设备及其制造方法

权利要求书

1.一种显示设备，包括：

基板；

在所述基板上的第一像素，所述第一像素包括第一发光二极管，所述第一发光二极管包括第一电极、第二电极以及在所述第一电极与所述第二电极之间的第一发射层，所述第一发射层发射第一波长带的光，所述第一发光二极管的所述第一电极在第一方向上反射所述第一发射层发射的光；

在所述基板上的第二像素，所述第二像素包括第二发光二极管，所述第二发光二极管包括第一电极、第二电极以及在所述第一电极与所述第二电极之间的第二发射层，所述第二发射层发射第二波长带的光，所述第二发光二极管的所述第二电极在与所述第一方向相反的第二方向上反射所述第二发射层发射的光，所述第二发光二极管的所述第二发射层在所述第一发光二极管的所述第一发射层下方；

所述基板上的光传感器，感测从所述第二发射层发射的并且由对象反射的所述第二波长带的光；以及

遮光部，在所述基板上与所述光传感器相邻，

其中，所述第一发光二极管的所述第一电极和所述第二发光二极管的所述第二电极在水平方向上彼此相邻。

2.根据权利要求1所述的显示设备，其中：

所述光传感器包括薄膜晶体管，并且

所述薄膜晶体管包括第三半导体层。

3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述第三半导体层包括非晶硅锗。

4.根据权利要求2所述的显示设备，进一步包括：

绝缘层，在所述遮光部与所述第三半导体层之间。

5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述绝缘层包括氮化硅和氧化硅中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述遮光部具有堆叠结构，所述堆叠结构包括：

第一遮光层，包括非晶锗，以及

第二遮光层，包括非晶硅锗。

7.根据权利要求1所述的显示设备，其中：

所述第一发光二极管的所述第一电极包括反射电极并且所述第一发光二极管的所述第二电极包括透明电极，并且

所述第二发光二极管的所述第一电极包括透明电极并且所述第二发光二极管的所述第二电极包括反射电极。

8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二发光二极管的所述第二电极在与所述第一发光二极管的所述第一电极相同的层上。

9.根据权利要求1所述的显示设备，其中：

所述第一像素包括电连接至所述第一发光二极管并且包括第一半导体层的第一薄膜晶体管，并且

所述第二像素包括电连接至所述第二发光二极管并且包括第二半导体层的第二薄膜晶体管。

10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层中的每一个包括多晶硅。

11.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二像素的分辨率低于所述第一像素的分辨率。

12.根据权利要求1所述的显示设备，其中：

所述第一波长带包括可见光范围，并且

所述第二波长带包括红外线范围。

13.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：

制备基板；

在所述基板上形成感测由对象反射的第二波长带的光的光传感器；

邻近所述光传感器形成第二发光二极管，所述第二发光二极管在所述基板的方向上发射所述第二波长带的光；

邻近所述第二发光二极管形成第一发光二极管，所述第一发光二极管在与所述基板相对的方向上发射第一波长带的光；以及

在入射至所述光传感器的光的路径中形成遮光部，

其中，所述第一发光二极管的第一电极和所述第二发光二极管的第二电极同时形成。