[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温氮化镓层、高温氮化镓层、N型氮化镓层、应力释放层、有源层、电子阻挡层和P型氮化镓层；所述应力释放层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层为掺有硅的氮化镓层，所述第二子层包括多层未掺杂的铟镓氮层和多层未掺杂的氮化镓层，所述多层未掺杂的铟镓氮层和所述多层未掺杂的氮化镓层交替层叠设置；所述有源层包括多层铟镓氮层和多层氮化镓层，所述多层铟镓氮层和所述多层氮化镓层交替层叠设置，其特征在于，所述第三子层为掺杂铟和硅的氮化镓层，所述第三子层中铟的掺杂浓度沿所述外延片的层叠方向逐渐升高或者逐渐降低；

其中，所述第三子层中铟的掺杂浓度为所述第二子层中每个铟镓氮层中的铟的掺杂浓度的1/15～1/5；所述第三子层中铟的掺杂浓度为所述有源层中每个铟镓氮层中的铟的掺杂浓度的1/25～1/10。

2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述有源层中的每个氮化镓层中和所述N型氮化镓层中均掺有硅，所述第三子层中硅的掺杂浓度小于所述N型氮化镓层中硅的掺杂浓度，且所述第三子层中硅的掺杂浓度小于所述有源层中每个氮化镓层中硅的掺杂浓度。

3.一种发光二极管的外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长低温氮化镓层、高温氮化镓层、N型氮化镓层、应力释放层、有源层、电子阻挡层和P型氮化镓层；其中，所述应力释放层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层为掺有硅的氮化镓层，所述第二子层包括多层未掺杂的铟镓氮层和多层未掺杂的氮化镓层，所述多层未掺杂的铟镓氮层和所述多层未掺杂的氮化镓层交替层叠设置，所述第三子层为掺杂铟和硅的氮化镓层，所述第三子层中铟的掺杂浓度沿所述外延片的层叠方向逐渐升高或者逐渐降低；所述有源层包括多层铟镓氮层和多层氮化镓层，所述多层铟镓氮层和所述多层氮化镓层交替层叠设置；

其中，所述第三子层中铟的掺杂浓度为所述第二子层中每个铟镓氮层中的铟的掺杂浓度的1/15～1/5；所述第三子层中铟的掺杂浓度为所述有源层中每个铟镓氮层中的铟的掺杂浓度的1/25～1/10。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第三子层的生长温度为800～850℃。

5.根据权利要求3或4所述的制造方法，其特征在于，所述第三子层的生长温度低于所述第一子层的生长温度，且所述第三子层的生长温度低于所述第二子层的生长温度。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第三子层的生长速率大于所述第一子层的生长速率，且所述第三子层的生长速率大于所述第二子层的生长速率。

7.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第三子层的厚度小于所述第一子层的厚度，且所述第三子层的厚度小于所述第二子层的厚度。

8.根据权利要求3或4所述的制造方法，其特征在于，所述第三子层的生长温度高于所述有源层中每个铟镓氮层的生长温度。