[发明专利]微发光二极管显示面板及制作方法

权利要求书

1.一种微发光二极管显示面板，包括阵列基板(1)，其特征在于：所述阵列基板(1)上阵列排布有多个像素单元，每个像素单元至少包括R、G、B三色的子像素单元(4)，每个子像素单元(4)中均设有至少一个与该子像素单元(4)颜色相对应的微发光二极管晶粒(2)，相邻两个像素单元中颜色相同的子像素单元(4)的微发光二极管晶粒(2)的Bin级不同且峰值波长差值>2nm，从而将不同Bin级的微发光二极管晶粒(2)混合排布；其中，所述微发光二极管晶粒(2)的Bin级是，以根据所述微发光二极管晶粒(2)的峰值波长作为参数进行分类设定所述微发光二极管晶粒(2)的Bin级。

2.根据权利要求1所述的微发光二极管显示面板，其特征在于：每个子像素单元(4)至少由两个颜色相同、Bin级不同且峰值波长差值>2nm的微发光二极管晶粒(2)混合排布而成。

3.根据权利要求1所述的微发光二极管显示面板，其特征在于：所述阵列基板(1)上划分有n个排布区(3)，每个排布区(3)中R、G、B子像素单元(4)分别采用对应颜色的m种Bin级的微发光二极管晶粒(2)混合排布，其中，2<n<m，所述m和n均为正整数。

4.根据权利要求3所述的微发光二极管显示面板，其特征在于：每个排布区(3)中每种Bin级的微发光二极管晶粒(2)的个数为m/n个。

5.根据权利要求3或4所述的微发光二极管显示面板，其特征在于：每个排布区(3)中相邻两个颜色相同的微发光二极管晶粒(2)的峰值波长差值>2nm。

6.一种微发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：

提供一阵列基板(1)；

在阵列基板(1)的像素单元中的R、G、B三色的子像素单元(4)内通过转印将对应颜色的微发光二极管晶粒(2)从转印板上转印至相应的子像素单元(4)中，每次转印的微发光二极管晶粒(2)的颜色以及Bin级相同，相邻两个像素单元中颜色相同的子像素单元(4)内的微发光二极管晶粒(2)的Bin级不同且峰值波长差值>2nm；其中，所述微发光二极管晶粒(2)的Bin级是，以根据所述微发光二极管晶粒(2)的峰值波长作为参数进行分类设定所述微发光二极管晶粒(2)的Bin级。

7.根据权利要求6所述的微发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于：每个子像素单元(4)至少通过两次转印，将两个颜色相同、Bin级不同且峰值波长差值>2nm的微发光二极管晶粒(2)混合排布在相应的子像素单元(4)中。

8.根据权利要求6所述的微发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于：在转印前，将阵列基板(1)划分为n个排布区(3)，每个排布区(3)中R、G、B子像素单元(4)分别采用对应颜色的m种Bin级的微发光二极管晶粒(2)混合排布，每一次转印将一块Bin级相同的转印板上的多个微发光二极管晶粒(2)分别排布至每一个排布区(3)中对应的子像素单元(4)内，直到将每个排布区布满微发光二极管晶粒(2)；其中，2<n<m，所述m和n均为正整数。

9.根据权利要求8所述的微发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于：每个排布区(3)中每种Bin级的微发光二极管晶粒(2)的个数为m/n个。

10.根据权利要求9所述的微发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于：每个排布区(3)中相邻两个颜色相同的微发光二极管晶粒(2)的峰值波长差值>2nm。