[发明专利]具有柔顺且止裂的互连结构的半导体器件有效
申请号: | 201710095392.8 | 申请日: | 2017-02-22 |
公开(公告)号: | CN107123630B | 公开(公告)日: | 2023-01-31 |
发明(设计)人: | G·T·奥斯特洛维奇 | 申请(专利权)人: | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L25/07;H01L21/60 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 徐东升;赵蓉民 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 柔顺 互连 结构 半导体器件 | ||
1.一种功率变换器,其包含:
第一晶体管芯片,其被耦接到并堆叠在第二晶体管芯片的顶部上;所述第二晶体管芯片具有耦接到引线框焊盘的第一表面;以及
第一金属夹,其具有板部分和脊部分;所述板部分耦接到所述第一晶体管芯片的与所述第二晶体管芯片相对的第一表面;所述脊部分从所述板部分以一定角度弯曲并且随后以多个平行笔直的指状物的形式延伸到引线,其中每个指状物离散地附连到所述引线并且可操作为弹簧线悬臂梁。
2.根据权利要求1所述的变换器,其进一步包括耦接到所述第一晶体管芯片的第二表面的第二金属夹;所述第二金属夹也耦接到所述第二晶体管芯片的第二表面。
3.根据权利要求1所述的变换器,其中每个指状物通过从包括焊接合金和导电粘合剂的群组中选择的材料离散地附连到所述引线。
4.根据权利要求2所述的变换器,其中所述第一晶体管芯片是MOSFET并且所述第一晶体管芯片的所述第一表面是焊接到所述第一金属夹的漏极端子。
5.根据权利要求4所述的变换器,其中所述第一晶体管芯片的所述第二表面是焊接到所述第二金属夹的源极端子。
6.根据权利要求5所述的变换器,其中所述第二晶体管芯片是MOSFET并且所述第二晶体管芯片的所述第二表面是焊接到所述第二金属夹的漏极端子。
7.根据权利要求6所述的变换器,其中所述第二晶体管芯片的所述第一表面是焊接到所述引线的源极端子。
8.根据权利要求1所述的变换器,其中所述多个平行笔直的指状物形成所述脊部分的主要部分。
9.根据权利要求1所述的变换器,其中所述多个平行笔直的指状物形成所述脊部分的全部。
10.一种功率变换器,其包含:
第一晶体管芯片,其被耦接到并堆叠在第二晶体管芯片的顶部上;所述第二晶体管芯片具有耦接到引线框焊盘的第一表面;以及
第一金属夹,其具有板部分和脊部分;所述板部分耦接到所述第一晶体管芯片的与所述第二晶体管芯片相对的第一表面;所述脊部分从所述板部分以一定角度弯曲并且随后以多个平行线性的指状物的形式延伸到引线,其中每个指状物离散地附连到所述引线并且可操作为弹簧线悬臂梁。
11.根据权利要求10所述的变换器,其进一步包括耦接到所述第一晶体管芯片的第二表面的第二金属夹;所述第二金属夹也耦接到所述第二晶体管芯片的第二表面。
12.根据权利要求10所述的变换器,其中每个指状物通过从包括焊接合金和导电粘合剂的群组中选择的材料离散地附连到所述引线。
13.根据权利要求11所述的变换器,其中所述第一晶体管芯片是MOSFET并且所述第一晶体管芯片的所述第一表面是焊接到所述第一金属夹的漏极端子。
14.根据权利要求13所述的变换器,其中所述第一晶体管芯片的所述第二表面是焊接到所述第二金属夹的源极端子。
15.根据权利要求10所述的变换器,其中所述多个平行线性的指状物形成所述脊部分的主要部分。
16.根据权利要求10所述的变换器,其中所述多个平行线性的指状物形成所述脊部分的全部。
17.根据权利要求10所述的变换器,其中所述多个平行线性的指状物能够通过弹性伸长、弹性弯曲或弹性拉伸而伸长。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德克萨斯仪器股份有限公司,未经德克萨斯仪器股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710095392.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:封装结构
- 下一篇:电子封装件及其半导体基板与制法