[发明专利]一种SOI-LIGBT器件及其制备方法有效
申请号: | 201710096610.X | 申请日: | 2017-02-22 |
公开(公告)号: | CN107017282B | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 周骏;成建兵;袁晴雯 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
代理公司: | 32200 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人: | 黄欣 |
地址: | 210023 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 soi ligbt 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种SOI-LIGBT器件,其特征在于:其元胞结构包括硅衬底(1)、位于硅衬底(1)上的埋氧层(2),位于埋氧层(2)上的P阱(3),位于P阱(3)上相邻设置的P体区1(4)、N型漂移区(10)、P体区2(16)以及第一氧化层(9);
P体区1(4)设置于P阱(3)顶部一侧,阴极重掺杂P+区(5)和阴极重掺杂N+区(7)彼此独立地设置于P体区1(4)中、且阴极重掺杂P+区(5)和阴极重掺杂N+区(7)均与阴极(6)相接触;
P体区2(16)设置于P阱(3)顶部另一侧,在P体区2(16)中设有阳极重掺杂N+区(15)并位于其顶部一侧;
N型漂移区(10)设置于P体区1(4)和P体区2(16)之间,在N型漂移区(10)中设有N型缓冲层(11)并与P体区2(16)侧面相接触,N型缓冲层(11)中设置有阳极重掺杂P+区(12);阳极(13)分别与阳极重掺杂N+区(15)、阳极重掺杂P+区(12)正面部分接触,在阳极(13)与阳极重掺杂N+区(15)、P体区2(16)、阳极重掺杂P+区(12)之间间隔有第二氧化层(14);
在阴极(6)与阳极(13)之间间隔有第一氧化层(9),第一氧化层(9)表面还设有栅电极(8)。
2.权利要求1所述的SOI-LIGBT器件的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
第1步,在硅衬底上生长氧化层形成埋氧层,然后在埋氧层上生长P型外延层形成P阱;
第2步,在P阱的两侧离子注入硼、中间离子注入砷,分别形成P体区1、P体区2以及N型漂移区;
第3步,在P体区1中离子注入形成阴极重掺杂P+区和阴极重掺杂N+区,构成器件阴极;
第4步,在N型漂移区中先注入砷形成N型缓冲层,在N型缓冲层中再注入形成阳极重掺杂P+区,作为器件阳极的一部分;
第5步,在P体区2中离子注入形成阳极重掺杂N+区,作为器件阳极的另一部分;
第6步,在器件表面形成氧化层,并在预设位置形成阳电极、阴电极和栅电极;
即制备得到SOI-LIGBT。
3.根据权利要求2所述的SOI-LIGBT器件的制备方法,其特征在于:所述第1步中,埋氧层的厚度为1μm,P阱的厚度为5μm。
4.根据权利要求2所述的SOI-LIGBT器件的制备方法,其特征在于:所述第2步中,N型漂移区的深度为P阱的9/10。
5.根据权利要求2所述的SOI-LIGBT器件的制备方法,其特征在于:所述第2步中,P体区1的掺杂浓度3e16 cm-3、P体区2的掺杂浓度为2e15 cm-3、N型漂移区的掺杂浓度为1.7e15cm-3。
6.根据权利要求2所述的SOI-LIGBT器件的制备方法,其特征在于:所述第4步中,N型缓冲层的掺杂浓度为3e17cm-3。
7.根据权利要求2所述的SOI-LIGBT器件的制备方法,其特征在于:所述第5步中,阳极重掺杂N+区与N型缓冲层之间的距离为2
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京邮电大学,未经南京邮电大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710096610.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种LED显示组件及其制作方法
- 下一篇:一种桌面固定架
- 同类专利
- 专利分类