[发明专利]一种阵列基板及AMOLED显示装置有效
申请号: | 201710097173.3 | 申请日: | 2017-02-22 |
公开(公告)号: | CN106601782B | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 陈彩琴 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 430070 湖北省武汉市武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 amoled 显示装置 | ||
本发明实施例公开了一种阵列基板,包括:基板;驱动芯片,其位于所述基板上;多数条数据线,其依次排列在所述基板上,并纵向延伸到与所述驱动芯片电连接;多数条高电平线;面金属块,其位于所述基板上并与多数条所述高电平线电连接,以使多数条所述高电平线处于同一高电平;其中,多数条所述数据线经过所述面金属块所在区域与所述驱动芯片电连接,所述面金属块与多数条所述数据线之间存在绝缘层,所述面金属块与所述数据线重叠的位置设有挖空区以减少所述面金属块与所述数据线形成的寄生电容。本发明实施例还公开了一种AMOLED显示装置。采用本发明,具有降低阻容延迟的影响、减轻元器件损坏的优点。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体地讲,涉及一种阵列基板及AMOLED显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Display,OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED,PMOLED)显示装置和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED,AMOLED)显示装置两大类,即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)矩阵寻址两类。其中,AMOLED显示装置具有呈阵列式排布的像素,属于主动显示类型,发光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
AMOLED显示装置包括阵列基板,所述阵列基板包括基板,请参见图1,所述基板上设有多数条扫描线SL’、多数条数据线DL’和多数条高电平线VL’,多数条所述扫描线SL’由所述基板的左侧横向延伸到右侧,多数条所述数据线DL’由基板的上侧纵向延伸到下侧,多数条所述高电平线VL’也由基板的上侧纵向延伸到下侧,多数条所述高电平线VL’的下端电连接有面金属块110,所述面金属块110电连接到基板下侧的驱动芯片120,多数条所述数据线DL’经过面金属块110也电连接到驱动芯片120,多数条所述数据线DL’与所述金属块层叠设置,例如所述面金属块110位于所述数据线DL’的上方,或者所述面金属块110位于所述数据线DL’的下方,所述面金属块110与多数条所述数据线DL’分别在基板上不同的层级,两者之间通过绝缘层隔开。
在使用上述AMOLED显示装置的过程中本发明的发明人发现,由于多数条所述数据线DL’经由面金属块110电连接到驱动电路,所述面金属块110与所述数据线DL’之间存在绝缘层,从而形成寄生电容,该寄生电容会对所述数据线DL’上信号的传递产生阻容延迟(RCDelay)的影响;而且,由于面金属块110面积比较大,在阵列基板的制造过程中会积累大量静电,静电释放(ESD)会造成AMOLED显示装置的元器件损坏。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题在于,提供一种阵列基板及AMOLED显示装置。可提降低阻容延迟的影响,并可减轻静电释放对元器件的损坏。
为了解决上述技术问题,本发明第一方面提供了一种阵列基板,包括:
基板;
驱动芯片,其位于所述基板上;
多数条数据线,其依次排列在所述基板上,并纵向延伸到与所述驱动芯片电连接;
多数条高电平线,其依次排列在所述基板上,并在所述基板上纵向延伸;
面金属块,其位于所述基板上并与多数条所述高电平线电连接,以使多数条所述高电平线处于同一高电平;其中,
多数条所述数据线经过所述面金属块所在区域与所述驱动芯片电连接,所述面金属块与多数条所述数据线之间存在绝缘层,所述面金属块与所述数据线重叠的位置设有挖空区以减少所述面金属块与所述数据线形成的寄生电容。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的