[发明专利]一种顶发射白光量子点场效应晶体管器件及其制备方法

说明书

本发明公开一种顶发射白光量子点场效应晶体管器件及其制备方法，其中，所述器件包括依次叠放的基底、第一电极、绝缘层、第二电极、量子点发光层以及第三电极，所述基底预先刻蚀成具有三个不同高度的表面，在相邻不同高度表面形成的阶梯位置处设置有向上延伸直至与所述第三电极下表面接触的第一绝缘隔离层和第二绝缘隔离层，所述第一电极为全反射电极，所述第二电极为透明电极，所述第三电极为半透明电极。本发明实现了单个像素点的独立发光要求以及微腔效应对器件发光的单色性和发光效率的增强；同时本发明还优化了器件的微腔结构，并简化了工艺过程，整体提高了器件的集成度，降低了器件的制备难度。

技术领域

本发明涉及平板显示领域，尤其涉及一种顶发射白光量子点场效应晶体管器件及其制备方法。

背景技术

近年来，量子点发光二极管（QLED）因具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点在照明和显示领域获得了广泛的关注与研究。另外在电子技术的发展背景下，场效应晶体管（FET）也成为了目前现代微电子学中应用最广泛的器件之一。结合发光器件和FET的技术，可考虑将QLED和FET集成QLED-FET发光器件，实现充分利用QLED的巨大应用背景。

随着小尺寸、被动驱动技术的日渐成熟，大尺寸、主动驱动技术显示成为研究主流，且更大尺寸的显示需要TFT驱动技术，现有技术通过制备QLED-FET的顶发射发光器件以解决传统底发射发光器件难与TFT相结合的问题；

然而，对于顶发射量子点发光器件，其仍然存在发光效率低以及发光单色性较弱的问题。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种含微腔结构的顶发射场效应晶体管器件及其制备方法，旨在解决现有的顶发射量子点场效应晶体管器件发光效率低以及发光单色性较弱的问题。

本发明的技术方案如下：

一种顶发射白光量子点场效应晶体管器件，其中，包括依次叠放的基底、第一电极、绝缘层、第二电极、量子点发光层以及第三电极，所述基底预先刻蚀成具有三个不同高度的表面，在相邻不同高度表面形成的阶梯位置处设置有向上延伸直至与所述第三电极下表面接触的第一绝缘隔离层和第二绝缘隔离层，所述第一电极为全反射电极，所述第二电极为透明电极，所述第三电极为半透明电极。

较佳地，所述的顶发射白光量子点场效应晶体管器件，其中，所述第二电极与所述量子点发光层之间还设置有空穴传输层，所述第三电极与所述量子点发光层之间还设置有电子传输层。

较佳地，所述的顶发射白光量子点场效应晶体管器件，其中，所述量子点发光层包括红光量子点发光层、绿光量子点发光层以及蓝光量子点发光层。

较佳地，所述的顶发射白光量子点场效应晶体管器件，其中，所述量子点发光层的厚度为10-100nm。

较佳地，所述的顶发射白光量子点场效应晶体管器件，其中，所述绝缘层、第一绝缘隔离层及第二绝缘隔离层的材料均为有机聚合物材料。

较佳地，所述的顶发射白光量子点场效应晶体管器件，其中，所述顶发射白光量子点场效应晶体管器件为正型结构，包括从下至上依次叠放的基底、第一电极、绝缘层、第二电极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及第三电极，所述第二电极为阳极，第三电极为阴极。

较佳地，所述的顶发射白光量子点场效应晶体管器件，其中，所述顶发射白光量子点场效应晶体管器件为反型结构，包括从下至上依次叠放的基底、第一电极、绝缘层、第二电极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层及第三电极，所述第二电极为阴极，第三电极为阳极。