[发明专利]磁性随机存取存储器（MRAM）和操作方法

权利要求书

1.一种存储器装置，其特征在于，包括：

感测放大器；

第一存储单元，其包括第一晶体管、第二晶体管和电阻式存储元件，其中

在读取操作期间，感测电流被引导穿过所述第二晶体管，并且所述第一晶体管用于感测在所述电阻式存储元件的第一端处的反馈电压，并且

在写入操作期间，电流被引导穿过所述第一和第二晶体管；

第二存储单元，其包括第一晶体管、第二晶体管和电阻式存储元件；

字线，其耦合到所述第一和第二存储单元的所述第一和第二晶体管的控制栅极；以及

源线，其耦合到所述第一和第二存储单元中的所述电阻式存储元件的第二端，

其中所述第二存储单元的所述第一晶体管由所述感测放大器使用以在所述读取操作期间感测在所述第一存储单元中的所述电阻式存储元件的所述第二端处的反馈电压。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于：

在所述读取操作期间，在所述第二存储单元的所述第一晶体管的第一电流电极处的电压与在所述第一存储单元的所述电阻式存储元件的所述第二端处的电压大致相同。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于：

在读取操作期间，所述第一存储单元的所述第一晶体管的第一电流电极经耦合以为第三存储单元提供反馈。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于：

所述第一存储单元紧邻地耦合到所述第二存储单元。

5.根据权利要求3所述的存储器装置，其特征在于：

在所述读取操作期间，所述第二存储单元的所述第二晶体管的第一电流电极经耦合以浮动，或耦合到源电压；

所述第二存储单元的所述第一和第二晶体管的第二电流电极耦合到所述第二存储单元的所述电阻式存储元件的所述第一端。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于：

在所述读取操作期间，所述第一存储单元的所述第二晶体管的第一电流电极耦合到感测电压；

所述第一存储单元的所述第一和第二晶体管的第二电流电极耦合到所述第一存储单元的所述电阻式存储元件的所述第一端。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于：

所述第一和第二存储单元的所述电阻式存储元件包括磁性隧道结。

8.一种操作存储器装置的方法，所述存储器装置包括：感测放大器；

第一存储单元，其包括第一晶体管、第二晶体管和电阻式存储元件，

第二存储单元，其包括第一晶体管、第二晶体管和电阻式存储元件；

字线，其耦合到所述第一和第二存储单元的所述第一和第二晶体管的控制栅极；以及

源线，其耦合到所述第一和第二存储单元中的所述电阻式存储元件的第二端，

其特征在于，所述方法包括：

提供穿过第一存储单元的第一晶体管的感测电流；

感测在所述第一存储单元中的第二晶体管的第一电流电极处的第一反馈电压，其中所述第一反馈电压在电阻式存储元件的第一端处，并且所述第一存储单元的所述第二晶体管的所述第一电流电极耦合到感测放大器的输入端；

感测在所述第二存储单元的第一晶体管的第一电流电极处的第二反馈电压，其中所述第二反馈电压在所述电阻式存储元件的第二端处，并且所述第二存储单元的所述第一晶体管的所述第一电流电极耦合到所述感测放大器的另一输入端；

基于所述第一和第二反馈电压，调整穿过所述第一存储单元的所述感测电流。

9.一种集成电路装置，其特征在于，包括：

存储器装置，其包括：

第一存储单元，其具有第一晶体管、第二晶体管和非易失性可编程电阻器；

位线，其在读取操作期间耦合到所述第一晶体管的第一电流电极；

感测放大器，其包括在所述读取操作期间耦合到所述第二晶体管的第一电流电极的输入端；

写入电压，其在写入操作期间耦合到所述第一和第二晶体管的所述第一电流电极；

所述第一和第二晶体管的第二电流电极，其耦合到所述非易失性可编程电阻器的第一端；

源线，其耦合到所述非易失性可编程电阻器的第二端；

字线，其耦合到所述第一和第二晶体管的控制电极。