[发明专利]发光二极管在审
| 申请号： | 201710098327.0 | 申请日： | 2017-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN106816522A | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 程艳 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：发光层(5)、分别与所述发光层(5)上下两侧接触的电子传输层(6)和空穴传输层(3)、与所述空穴传输层(3)接触的第一电极(4)以及与所述电子传输层(6)接触的第二电极(7)；所述电子传输层(6)的材料为石墨烯。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管采用非垂直式结构；
所述第一电极(4)和发光层(5)间隔分布于所述空穴传输层(3)上，所述电子传输层(6)设于所述发光层(5)上，所述第二电极(7)设于所述电子传输层(6)上。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管采用垂直式结构，所述第一电极(4)、空穴传输层(3)、发光层(5)、电子传输层(6)、和第二电极(7)自下而上依次层叠设置。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极(4)和第二电极(7)的材料均为铝和铜中的一种或二种的组合。
5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层(3)的材料N型掺杂的氮化镓。
6.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，还包括：基板(1)、以及缓冲层(2)；
所述缓冲层(2)覆盖于所述基板(1)上，所述空穴传输层(3)设于所述缓冲层(2)上。
7.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述基板(1)为蓝宝石基板。
8.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述缓冲层(2)的材料为未掺杂的氮化镓。
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