[发明专利]一种湿度探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种湿度探测器，其特征在于，该湿度探测器包括：

基底和设置于基底表面的氧化亚铜纳米线结构；所述氧化亚铜纳米线结构为网格状结构；

所述基底和所述氧化亚铜纳米线结构的表面设置有电极；

所述基底由硅制成；

该湿度探测器中的硅与氧化亚铜构成一个异质结。

2.根据权利要求1所述的湿度探测器，其特征在于，所述氧化亚铜纳米线结构是由氧化亚铜纳米材料制成的。

3.根据权利要求1所述的湿度探测器，其特征在于，该湿度探测器是将通过水热法或模板法生长的氧化亚铜纳米材料烧结在所述基底上得到的。

4.根据权利要求1所述的湿度探测器，其特征在于，该湿度探测器是通过脉冲激光沉积法、磁控溅射法或物理气相沉积法在基底上生长氧化亚铜纳米线结构得到的。

5.根据权利要求1所述的湿度探测器，其特征在于，所述电极为金、银、铂、铟和铝中的一种或几种的组合制成的电极。

6.根据权利要求1或5所述的湿度探测器，其特征在于，所述电极为采用真空镀膜法、磁控溅射法或激光沉积法制备的金薄膜、银薄膜或铝薄膜。

7.权利要求1-6任一项所述的湿度探测器的制备方法，其特征在于，该湿度探测器是将通过水热法或模板法生长的氧化亚铜纳米材料烧结在所述基底上得到的；

或，该湿度探测器是通过脉冲激光沉积法、磁控溅射法或物理气相沉积法在基底上生长氧化亚铜纳米线结构得到的。