[发明专利]共面波导馈电的半环形表面波传输线及功分器有效
申请号: | 201710098926.2 | 申请日: | 2017-02-23 |
公开(公告)号: | CN106711563B | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 王世伟;邓飞 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01P5/08 | 分类号: | H01P5/08;H01P5/12 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 李君 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 波导 馈电 环形 表面波 传输线 功分器 | ||
1.共面波导馈电的半环形表面波传输线,包括介质基板,其特征在于:还包括第一共面波导、第二共面波导、第一过渡结构、第二过渡结构和半环形表面波结构,所述第一共面波导、第二共面波导、第一过渡结构、第二过渡结构和半环形表面波结构设置在介质基板的顶层,所述介质基板的底层无覆铜地;
所述第一共面波导和第二共面波导左右对称,所述第一过渡结构和第二过渡结构左右对称,第一共面波导通过第一过渡结构与半环形表面波结构的左端连接,第二共面波导通过第二过渡结构与半环形表面波结构的右端连接;
所述第一过渡结构包括多个第一半环形过渡单元和位于第一半环形过渡单元两侧的第一金属单元;所述第一半环形过渡单元与半环形表面波结构的左端连接,第一半环形过渡单元从左到右依次连接,并逐渐变大,第一金属单元从左到右逐渐远离第一半环形过渡单元,并在第一半环形过渡单元与半环形表面波结构左端的连接处消失;
所述第二过渡结构包括多个第二半环形过渡单元和位于第二半环形过渡单元两侧的第二金属单元,所述第二半环形过渡单元与半环形表面波结构的右端连接,第二半环形过渡单元从右到左依次连接,并逐渐变大,第二金属单元从右到左逐渐远离第二半环形过渡单元,并在第二半环形过渡单元与半环形表面波结构左端的连接处消失。
2.根据权利要求1所述的共面波导馈电的半环形表面波传输线,其特征在于:所述半环形表面波结构由多个半环形单元组成,多个半环形单元按照周期排列,并依次连接在一起;每个半环形单元的尺寸相一致,且每个半环形单元的高度、宽度和粗细程度以及相邻的两个半环形单元之间的距离,根据所需的频率应用范围进行调整。
3.共面波导馈电的半环形表面波功分器,包括介质基板,其特征在于:还包括第一共面波导、第二共面波导、第三共面波导、第一过渡结构、第二过渡结构、第三过渡结构、第四过渡结构、第一半环形表面波结构、第二半环形表面波结构、第三半环形表面波结构和第四半环形表面波结构,所述第一共面波导、第二共面波导、第三共面波导、第一过渡结构、第二过渡结构、第三过渡结构、第四过渡结构、第一半环形表面波结构、第二半环形表面波结构、第三半环形表面波结构和第四半环形表面波结构设置在介质基板的顶层,所述介质基板的底层无覆铜地;
第一过渡结构和第二过渡结构并排组成双路过渡结构,所述第一半环形表面波结构和第二半环形表面波并排组成双路半环形表面波结构,所述第一共面波导通过双路过渡结构与双路半环形表面波结构的前端连接,双路半环形表面波结构的末端跨接一个功分电阻后分别与第三半环形表面波结构的前端、第四半环形表面波结构的前端连接,所述第二共面波导通过第三过渡结构与第三半环形表面波结构的末端连接,所述第三共面波导通过第四过渡结构与第四半环形表面波结构的末端连接;
所述第一过渡结构包括多个第一半环形过渡单元和位于第一半环形过渡单元上侧的第一金属单元,第一半环形过渡单元与第一半环形表面波结构的前端连接,第一半环形过渡单元从左到右依次连接,并逐渐变大,第一金属单元从左到右逐渐远离第一半环形过渡单元,并在第一半环形过渡单元与第一半环形表面波结构前端的连接处消失;
所述第二过渡结构包括多个第二半环形过渡单元和位于第二半环形过渡单元下侧的第二金属单元,第二半环形过渡单元与第二半环形表面波结构的前端连接,第二半环形过渡单元从左到右依次连接,并逐渐变大,第二金属单元从左到右逐渐远离第二半环形过渡单元,并在第二半环形过渡单元与第二半环形表面波结构前端的连接处消失;
所述第三过渡结构包括多个第三半环形过渡单元和位于第三半环形过渡单元左侧的第三金属单元,第三半环形过渡单元与第三半环形表面波结构的末端连接,第三半环形过渡单元从上到下依次连接,并逐渐变大,第三金属单元从上到下逐渐远离第三半环形过渡单元,并在第三半环形过渡单元与第三半环形表面波结构末端的连接处消失;
所述第四过渡结构包括多个第四半环形过渡单元和位于第四半环形过渡单元左侧的第四金属单元,第四半环形过渡单元与第四半环形表面波结构的末端连接,第四半环形过渡单元从下到上依次连接,并逐渐变大,第四金属单元从下到上逐渐远离第四半环形过渡单元,并在第四半环形过渡单元与第四半环形表面波结构前端的连接处消失。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学,未经华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710098926.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种四模介质带通滤波器
- 下一篇:半环形单频及双频选择表面结构