[发明专利]用于片上集成的整流桥结构

说明书

本发明公开了一种用于片上集成的整流桥结构，属于电路领域。该整流桥结构包括构成整流桥的四个二极管、两个少子保护环；四个所述二极管中的第一二极管和第二二极管分别被一个少子保护环包围；所述少子保护环由深N阱DNW和位于所述DNW下方的N型深埋层BN构成，所述少子保护环贯穿所述二极管所在的P型外延层；所述少子保护环中的所述DNW通过金属线与P型源漏PSD连接，所述PSD被浅P阱SPWELL包围；解决了现有技术中将整流桥和主芯片集成到同一块衬底时，整流桥会出现寄生漏电的问题；达到了能够将整流桥和主芯片集成到同一块衬底，提高产品的集成程度的效果。

技术领域

本发明实施例涉及电路领域，特别涉及一种用于片上集成的整流桥结构。

背景技术

整流桥用于将交流电压或无极性电压转换为直流电压。在采用交流电压或无极性电源供电的系统中大多设置有整流桥。

现代芯片制造中大部分情况采用P型材料作为晶圆片的衬底，在设计芯片时也将芯片的GND脚和晶圆片的P型衬底连接起来，由于二极管生产工艺，每个二极管的结构中都会存在寄生三极管，当主芯片电路和整流桥设置在同一衬底上时，P型衬底连接的芯片的GND脚的电压将不再是整块电路的最低电压，导致整流桥出现寄生漏电。

因此，在采用在交流电源和无极性电压供电的系统中大多采用片外整流桥，不利于提高产品集成度、以及产品小型化、智能化的发展。

发明内容

为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供了一种用于片上集成的整流桥结构。该技术方案如下：

第一方面，提供了一种用于片上集成的整流桥结构，该整流桥结构包括构成整流桥的四个二极管、两个少子保护环；

四个所述二极管中的第一二极管和第二二极管分别被一个少子保护环包围；

所述少子保护环由深N阱DNW和位于所述DNW下方的N型深埋层BN构成，所述少子保护环贯穿所述二极管所在的P型外延层；

所述少子保护环中的所述DNW通过金属线与P型源漏PSD连接，所述PSD被浅P阱SPWELL包围。

可选的，所述少子收集环中的所述BN与P型衬底接触。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

该用于片上集成的整流桥结构，包括构成整流桥的四个二极管，两个少子保护环，其中两个二极管分别被一个少子保护环包围，少子保护环由DNW和位于DNW下方的BN构成，少子保护环贯穿P型外延层；解决了现有技术中将整流桥和主芯片集成到同一块衬底时，整流桥会出现寄生漏电的问题；达到了能够将整流桥和主芯片集成到同一块衬底，提高产品的集成程度的效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是一种整流桥的电路原理图；

图2是一种二极管的结构示意图；

图3是根据一示例性实施例示出的一种用于片上集成的整流桥电路的电路原理图；

图4是根据一示例性实施例示出的一种被少子保护环包围的二极管的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

图1示出了一种整流桥的电路原理图。二极管D1、D2、D3、D4构成整流桥，整流桥与主芯片电路110和电源120连接。可选的，电源120为交流电源或者无极性电源。