[发明专利]一种等离子体产生方法及装置和半导体处理设备

权利要求书

1.一种等离子体产生方法，包括：上射频源输出主脉冲信号，用于激发反应腔室内的工艺气体形成等离子体，其特征在于，在所述主脉冲信号的关闭阶段的部分时间内，所述上射频源输出一个或多个辅助脉冲信号，所述辅助脉冲信号能维持所述反应腔室内的所述等离子体在所述主脉冲信号的关闭阶段处于起辉状态。

2.根据权利要求1所述的等离子体产生方法，其特征在于，所述辅助脉冲信号的占空比小于所述主脉冲信号的占空比。

3.根据权利要求1所述的等离子体产生方法，其特征在于，所述辅助脉冲信号的幅值小于所述主脉冲信号的幅值。

4.根据权利要求1所述的等离子体产生方法，其特征在于，所述辅助脉冲信号开启时的上升沿延迟于所述主脉冲信号开启时的上升沿。

5.根据权利要求1所述的等离子体产生方法，其特征在于，所述辅助脉冲信号的频率等于所述主脉冲信号的频率，所述辅助脉冲信号与所述主脉冲信号的射频频率相同。

6.根据权利要求1所述的等离子体产生方法，其特征在于，所述主脉冲信号的频率包括100KHz以下，所述主脉冲信号的占空比包括90％以下。

7.一种等离子体产生装置，包括上射频源，所述上射频源能输出主脉冲信号，以激发反应腔室内的工艺气体形成等离子体，其特征在于，所述上射频源还能在所述主脉冲信号的关闭阶段的部分时间内输出一个或多个辅助脉冲信号，所述辅助脉冲信号能维持所述反应腔室内的所述等离子体在所述主脉冲信号的关闭阶段处于起辉状态。

8.根据权利要求7所述的等离子体产生装置，其特征在于，所述上射频源包括主射频源，所述主射频源通过第一匹配器连接所述反应腔室顶部的主线圈，所述主射频源能输出主脉冲信号，并在所述主脉冲信号的关闭阶段输出一个或多个所述辅助脉冲信号。

9.根据权利要求7所述的等离子体产生装置，其特征在于，所述上射频源包括主射频源和辅助射频源，其中，所述主射频源能输出所述主脉冲信号，所述主射频源通过第一匹配器连接所述反应腔室顶部的主线圈；所述辅助射频源通过第二匹配器连接所述反应腔室顶部的次线圈，所述辅助射频源能在所述主脉冲信号的关闭阶段输出一个或多个所述辅助脉冲信号。

10.根据权利要求9所述的等离子体产生装置，其特征在于，所述主射频源与所述辅助射频源通过脉冲触发电缆连接，所述脉冲触发电缆能控制所述辅助脉冲信号的占空比小于所述主脉冲信号的占空比；和/或，所述辅助脉冲信号的幅值小于所述主脉冲信号的幅值；和/或，所述辅助脉冲信号开启时的上升沿延迟于所述主脉冲信号开启时的上升沿。

11.根据权利要求8所述的等离子体产生装置，其特征在于，还包括第一控制开关，所述第一控制开关连接于所述主射频源的输出端与所述第一匹配器的输入端之间，或者，所述第一控制开关连接于所述第一匹配器的输出端与所述主线圈之间；所述第一控制开关开启或关闭，以控制所述主射频源向所述主线圈输出或停止输出所述主脉冲信号或所述辅助脉冲信号。

12.根据权利要求9所述的等离子体产生装置，其特征在于，还包括第一控制开关和第二控制开关，所述第一控制开关连接于所述主射频源的输出端与所述第一匹配器的输入端之间，或者，所述第一控制开关连接于所述第一匹配器的输出端与所述主线圈之间；所述第一控制开关开启或关闭，以控制所述主射频源向所述主线圈输出或停止输出所述主脉冲信号；所述第二控制开关连接于所述辅助射频源的输出端与所述第二匹配器的输入端之间，或者，所述第二控制开关连接于所述第二匹配器的输出端与所述次线圈之间；所述第二控制开关开启或关闭，以控制所述辅助射频源向所述次线圈输出或停止输出所述辅助脉冲信号。