[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管，包括：

衬底，具有隔离结构和位于所述隔离结构之间的鳍；

至少一个栅极结构，设置在所述衬底上方并且在所述隔离结构上；

间隔件，设置在所述至少一个栅极结构的侧壁上；

第一阻挡材料层，设置在所述间隔件上；

应变源极和漏极区，设置在所述至少一个栅极结构的相对侧上；以及

第二阻挡材料层，设置在所述应变源极和漏极区上，其中，所述第一阻挡材料层和所述第二阻挡材料层包括富氧氧化物材料，以及所述第一阻挡材料层的氧含量大于所述间隔件的氧含量，

其中，所述间隔件的材料包括硅碳氮氧化物，并且所述第一阻挡材料层的材料包括富氧硅碳氮氧化物，或者

其中，其中，所述间隔件的材料包括氧化硅，并且所述第一阻挡材料层的材料包括富氧氧化硅。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述第二阻挡材料层的氧含量大于所述应变源极和漏极区的氧含量。

3.根据权利要求2所述的晶体管，其中，所述应变源极和漏极区的材料包括锗化硅或者磷化硅，并且所述第二阻挡材料层的材料包括富氧氧化硅。

4.根据权利要求3所述的晶体管，其中，所述富氧氧化硅由SiO_x表示并且2.1≤x≤2.5。

5.一种鳍式场效应晶体管，包括：

衬底，具有隔离结构和位于所述隔离结构之间的鳍；

至少一个栅极结构，设置在所述鳍上方并且设置在所述隔离结构上；

间隔件，所述间隔件设置在所述至少一个栅极结构的侧壁上；

第一阻挡材料层，设置在所述间隔件的表面上，其中，所述第一阻挡材料层包括带负电荷的层；

应变源极和漏极区，设置在所述至少一个栅极结构的相对侧上；以及

第二阻挡材料层，设置在所述应变源极和漏极区的表面上，其中，所述第二阻挡材料层包括带负电荷的氧化硅层，并且所述第二阻挡材料层的氧含量大于所述应变源极和漏极区的氧含量。

6.根据权利要求5所述的晶体管，其中，所述第一阻挡材料层的氧含量大于所述间隔件的氧含量。

7.根据权利要求6所述的晶体管，其中，所述间隔件的材料包括硅碳氮氧化物，并且所述带负电荷的层包括富氧硅碳氮氧化物。

8.根据权利要求6所述的晶体管，其中，所述间隔件的材料包括氧化硅，并且所述带负电荷的层包括富氧氧化硅。

9.根据权利要求5所述的晶体管，其中，所述应变源极和漏极区的材料包括锗化硅或者磷化硅，并且所述带负电荷的氧化硅层的材料由SiO_x表示并且2.1≤x≤2.5。

10.一种用于形成鳍式场效应晶体管的方法，包括：

提供具有隔离结构和位于所述隔离结构之间的鳍的衬底；

在所述隔离结构上和所述鳍上方形成至少一个堆叠结构；

在所述至少一个堆叠结构的侧壁上形成间隔件；

在所述衬底中以及在所述至少一个堆叠结构的两个相对侧上形成应变源极和漏极区；

通过对所述间隔件和所述应变源极和漏极区的表面实施氧化处理在所述间隔件上形成第一阻挡材料层而没有覆盖所述隔离结构以及在所述应变源极和漏极区上形成第二阻挡材料层而没有覆盖所述隔离结构；以及

在去除所述至少一个堆叠结构后，在所述隔离结构上和所述鳍上方形成至少一个栅极结构。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，实施所述氧化处理包括以从25℃至600℃范围内的操作温度实施低温基氧化处理的。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，实施所述氧化处理包括使用至少一种含氧气体应用等离子处理。