[发明专利]一种具有光子晶体结构的发光二极管在审
申请号: | 201710100547.2 | 申请日: | 2017-02-23 |
公开(公告)号: | CN108511572A | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 梁宗文;孙智江 | 申请(专利权)人: | 海迪科(南通)光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/22 | 分类号: | H01L33/22;H01L33/46 |
代理公司: | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人: | 滑春生 |
地址: | 226500 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 衬底 反射光子晶体 光子晶体结构 未掺杂GaN层 纳米图形化 蓝宝石 制备 多量子阱有源区 内量子效率 欧姆接触层 尺寸缩小 发光效率 依次设置 出光面 光反射 未掺杂 有效地 位错 | ||
1.一种具有光子晶体结构的发光二极管,其特征在于:包括自下而上依次设置的纳米图形化蓝宝石衬底、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱有源区、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN欧姆接触层和ITO层,还包括在ITO层上引出的p型欧姆电极,在n型GaN层上引出n型欧姆电极,且在未掺杂GaN层上制备有反射光子晶体结构。
2.根据权利要求1所述的具有光子晶体结构的发光二极管,其特征在于:所述反射光子晶体结构为二维或三维光子晶体,其结构形式为空气孔型或介质柱型,且光子晶体的晶格周期为100-1000 nm,高度为10-1000 nm,其形状为锥形、柱形、棱锥形或半球形中的任一种,排列方式为正方晶格、三角晶格或蜂窝晶格中的任一种。
3.根据权利要求1所述的具有光子晶体结构的发光二极管,其特征在于:所述反射光子晶体结构的材料为二氧化硅、氧化钛或氧化镁中的一种。
4.根据权利要求1所述的具有光子晶体结构的发光二极管,其特征在于:所述纳米图形化衬底的形状为圆锥形、三角形或半圆形中的一种,周期为100-1000 nm,高度为10-900nm。
5.根据权利要求1所述的具有光子晶体结构的发光二极管,其特征在于:所述纳米图形化蓝宝石衬底和反射光子晶体结构均采用纳米压印技术制备。
6.根据权利要求1所述的具有光子晶体结构的发光二极管,其特征在于:所述纳米图形化蓝宝石衬底为极性、半极性或非极性取向的蓝宝石中的一种。
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