[发明专利]一种高灵敏薄膜热电偶传感器芯片及制作方法

权利要求书

1.一种高灵敏薄膜热电偶传感器芯片，其特征在于，包括壳体，壳体内部设置放置合金薄膜的腔体(5)和放置石墨烯的环形孔(6)；环形孔(6)位于腔体(5)外周；

腔体(5)内设有一层合金薄膜制成薄膜热电偶，环形孔(6)内设有石墨烯；

壳体包括三段：测试探头(1)、中间圆台(2)和引线端(3)。

2.根据权利要求1所述的一种高灵敏薄膜热电偶传感器芯片，其特征在于，测试探头外部为直径为3mm，高度为3mm的圆柱；中间圆台为一圆台，上底面直径3mm，下底面直径为4mm，高为7mm；引线端为两个空心圆柱，外圆直径1mm，内圆直径0.5mm，高度为1mm。

3.根据权利要求1所述的一种高灵敏薄膜热电偶传感器芯片，其特征在于，壳体包括零件A和零件B两部分，两部分连接配合，实现合金薄膜的封闭。

4.根据权利要求3所述的一种高灵敏薄膜热电偶传感器芯片，其特征在于，零件A和零件B通过销钉与孔配合实现连接。

5.根据权利要求1所述的一种高灵敏薄膜热电偶传感器芯片，其特征在于，所述壳体为冷压制陶瓷壳体。

6.权利要求1至5中任一项所述的一种高灵敏薄膜热电偶传感器芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将碳化硅粉末使用等静压成型技术工艺制作为传感器壳体；

2)在腔体内采用原子沉积技术生长纳米级厚度的合金薄膜；

3)使用氧化石墨烯还原在环形孔中制备石墨烯；

4)在真空环境下完成壳体安装并接线。

7.权利要求6所述的制作方法，其特征在于，步骤1)中在传感器壳体上打环形孔；打孔位置根据壳体一阶振型模态测试结果，选择应变最高处，孔径0.2mm。

8.权利要求6所述的制作方法，其特征在于，步骤3)中先通过氧化石墨烯还原法制备胶体溶液，再通过LB膜技术制备GO薄膜，最后通过热还原法得到增强石墨烯。