[发明专利]结构体、以及图案形成方法在审
申请号: | 201710101586.4 | 申请日: | 2017-02-24 |
公开(公告)号: | CN107564802A | 公开(公告)日: | 2018-01-09 |
发明(设计)人: | 泽部智明;渡部彰;木原尚子;山本亮介 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/768 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人: | 段承恩,李照明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 结构 以及 图案 形成 方法 | ||
本申请以日本专利申请2016-131484(申请日为2016年7月1日)为基础,根据该申请而主张优先权。本申请参照该申请,包含该申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方案涉及结构体、以及图案形成方法。
背景技术
例如,有多个粒子相互接触而排列的结构体。难以将多个粒子相互分离而排列。难以控制多个粒子的排列方向。
发明内容
本发明的实施方案提供能够将多个粒子相互分离而排列的结构体、以及图案形成方法。
根据本发明的实施方案,结构体包含多个粒子和基体。所述多个粒子相互分离。所述多个粒子分别含有设置在所述多个粒子各自的表面上的第1高分子。所述基体具备具有凸部和凹部的面。所述基体含有设置在所述面上的第2高分子。所述第2高分子与所述第1高分子不同。所述多个粒子被所述凸部支持,所述多个粒子与所述凹部分离。
根据上述技术构成的结构体,能够提供能将多个粒子相互分离而排列的结构体、以及图案形成方法。
附图说明
图1(a)~图1(d)是对第1实施方案涉及的结构体进行例示的示意图。
图2(a)~图2(c)是对第1实施方案涉及的结构体的制造方法进行例示的示意剖面图。
图3(a)~图3(d)是表示与结构体相关的实验的示意图。
图4(a)和图4(b)是对接触角进行例示的示意图。
图5是对第1实施方案涉及的另一结构体进行例示的示意俯视图。
图6是对第1实施方案涉及的另一结构体进行例示的示意俯视图。
图7是对第1实施方案涉及的另一结构体进行例示的示意俯视图。
图8是对第1实施方案涉及的另一结构体进行例示的示意俯视图。
图9是对第1实施方案涉及的另一结构体进行例示的示意俯视图。
图10(a)~图10(d)是表示与结构体相关的实验的示意图。
图11是对第2实施方案涉及的图案形成方法进行例示的流程图。
图12(a)~图12(f)是对第2实施方案涉及的图案形成方法进行例示的工序顺序示意剖面图。
附图标记说明
10…粒子,10C…核部,10L…液体,10PL…第1高分子,11~13…第1~第3粒子,11c~13c…第1~第3粒子中心,11i~13i…第1~第3中间区域,11n~13n…位点区域,18…溶液膜,20…基体,20C…基体核部,20PL…第2高分子,20b…结构部件,20bf…第1膜,20bg…第2膜,20d…凹部,20f…面,20h…孔,20p…凸部,20s…基板,20sa…第1部分区域,20sb…第2部分区域,21~26…第1~第6凸部区域,21c…第1凸部区域中心,22c…第2凸部区域中心,θ1、θ2…接触角,110~115…结构体,AA…箭头,L1~L3…第1~第3直线,SP1~SP6…第1~第6试料,d1、d2…距离,d20…距离,pr1~pr4…第1~第4凸部分区域,r1~r6…第1~第6位点区域,w1、w2…距离
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的各实施方案进行说明。
附图是示意性或概念性的图示,因此各部分的厚度与宽度的关系、部分之间的大小比例等并不一定与现实相同。即使在表示相同部分的情况下,有时也会根据附图不同而表示出相互不同的尺寸、比例。
在本申请说明书和各图中,对于与前面附图相关的已经说明的部分同样的要素,附带相同标记并适当省略详细说明。
(第1实施方案)
图1(a)~图1(d)是对第1实施方案涉及的结构体进行例示的示意图。
图1(a)是从图1(b)的箭头AA观察的俯视图。图1(b)是图1(a)的A1-A2线剖面图。图1(c)是图1(a)的B1-B2线剖面图。图1(d)是图1(a)的C1-C2线剖面图。
如图1(a)~图1(d)所示,本实施方案涉及的结构体110包含多个粒子10和基体20。
多个粒子10相互分离。多个粒子10分别含有第1高分子10PL。在图1(a)中省略第1高分子10PL。第1高分子10PL被设置在多个粒子10各自的表面。
在该例中,多个粒子10分别还含有核部10C(参照图1(b)~图1(d))。第1高分子10PL被设置在核部10C的周围。例如,第1高分子10PL与核部10C的表面结合。例如,通过接枝聚合实现结合。例如,通过第1高分子10PL,核部10C相互分离而排列。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造