[发明专利]一种分立MOSFET构成的半桥驱动电路

权利要求书

1.一种分立MOSFET构成的半桥驱动电路，包括驱动电路及其连接驱动的功率半桥电路；所述功率半桥电路包括上半桥和下半桥，依次串联在母线电压和功率地之间；所述驱动电路包括上半桥驱动和下半桥驱动，上半桥驱动和下半桥驱动的控制信号输入端分别连接到单片机的PWM输出管脚、驱动信号输出端分别连接上半桥和下半桥的控制端，其特征在于：

所述上半桥驱动包括P型MOSFET Q1和N型MOSFET Q2、Q4；

其中Q1的源极连接低压电源输入端，Q1的漏极通过电阻R1连接上半桥驱动信号输出端，Q1的栅极通过并联的电阻R3、电容C3连接Q4的漏极，Q1的栅极与源极之间还连接有并联的电阻R2、稳压管D2；

其中Q4的栅极通过并联的电阻R7、电容C4连接单片机的PWM输出管脚，Q4的源极连接功率半桥电路的上半桥与下半桥之间的公共端，Q4的漏极连接到Q2的栅极驱动模块；所述Q2源极和漏极分别连接Q4的源极和上半桥驱动信号输出端。

2.根据权利要求1所述的分立MOSFET构成的半桥驱动电路，其特征在于：所述Q2的栅极驱动模块包括互相并联的电阻R5、二极管D3和电容C2，以及连接在Q2的栅极与源极之间的稳压管D4。

3.根据权利要求1所述的分立MOSFET构成的半桥驱动电路，其特征在于：还包括自举电容充电电路，所述自举电容充电电路包括二极管D1和电解电容C1，所述二极管D1串联在低压电源输入端的母线上，电解电容C1的正极和负极分别连接二极管D1的阴极和功率半桥电路的上半桥与下半桥之间的公共端。

4.根据权利要求3所述的分立MOSFET构成的半桥驱动电路，其特征在于：所述功率半桥电路的上半桥和下半桥分别采用N型MOSFET Q3和Q5，所述上半桥的Q3的漏极连接母线电压，源极连接Q5的漏极，两者的公共端连接到电机的对应相线，Q5的源极接到功率地。

5.根据权利要求4所述的分立MOSFET构成的半桥驱动电路，其特征在于：所述驱动电路的上半桥驱动的参考地具有浮动的电压，其完成对上半桥MOSFET管Q3的驱动；下半桥驱动参考地电压固定，完成对下半桥MOSFET管Q5的驱动。

6.根据权利要求1所述的分立MOSFET构成的半桥驱动电路，其特征在于：所述下半桥驱动包括P型MOSFET Q6和N型MOSFET Q7、Q8；

其中Q6的源极连接低压电源输入端，Q6的漏极通过电阻R8连接下半桥驱动信号输出端，Q6的栅极通过并联的电阻R11、电容C7连接Q8的漏极，Q6的栅极与源极之间还连接有并联的电阻R13、稳压管D5；

其中Q8的栅极通过并联的电阻R15、电容C8连接单片机的PWM输出管脚，Q8的源极连接功率地，Q8的漏极还通过驱动电阻R12连接到Q7的栅极，所述Q7源极和漏极分别连接功率地和下半桥驱动信号输出端, Q7源极和栅极之间还连接有电阻R14。

7.根据权利要求4所述的分立MOSFET构成的半桥驱动电路，其特征在于：所述功率半桥电路的上、下半桥的公共端与功率地之间连接有电阻RS1。