[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201710102441.6 | 申请日: | 2017-02-24 |
公开(公告)号: | CN107171668B | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
发明(设计)人: | 船户是宏;森本康夫 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H03M1/26 | 分类号: | H03M1/26 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,包括:
比较器,所述比较器基于输入到所述比较器的第一输入端子和第二输入端子的电压电平之间的相对大小关系,来切换输出信号的逻辑电平;
第一比较布线,所述第一比较布线与所述比较器的所述第一输入端子耦合;
第二比较布线,所述第二比较布线与所述比较器的所述第二输入端子耦合;
输入布线,向所述输入布线发送输入信号;
多个第一电容器,所述多个第一电容器当开始转换处理时采样所述输入信号,每个第一电容器具有与所述第一比较布线耦合的一端、以及与待转换的位的权重相对应的电容值;
多个第一开关,所述多个第一开关中的每个第一开关被提供给所述多个第一电容器中的对应的第一电容器,并且每个第一开关被配置为选择所述输入信号、第一基准电压、以及第二基准电压中的一个,以供应给所述对应的第一电容器的另一端;
多个第二电容器,每个第二电容器具有与所述第二比较布线耦合的一端,其中所述多个第二电容器的电容值之和与所述多个第一电容器的电容值之和相等,所述多个第二电容器中的每个第二电容器当开始转换处理时,采样所述第一基准电压和所述第二基准电压中的一个,所述多个第二电容器包括冗余位电容器和调整电容器;以及
第二开关,所述第二开关被提供给所述冗余位电容器,所述第二开关选择公共电压、所述第一基准电压、以及所述第二基准电压中的一个,以供应给所述冗余位电容器的另一端,
其中所述冗余位电容器包括与冗余位的权重相对应的电容值,
其中,所述调整电容器包括通过从所述第一电容器的电容值之和中减去所述冗余位电容器的电容值所得的电容值,
其中,通过第一公共电压供应切换开关,所述第一比较布线被供应有所述公共电压,以及
其中,通过第二公共电压供应切换开关,所述第二比较布线被供应有所述公共电压。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中,所述第一电容器包括两个电容器,所述两个电容器均具有与所述冗余位的权重相对应的电容值。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中,所述冗余位电容器包括具有与不同权重相对应的电容值的电容器。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述调整电容器包括:
第一调整电容器,所述第一调整电容器具有通过将所述第二电容器的电容值的和除以二所得的电容值;以及
第二调整电容器,所述第二调整电容器具有通过从所述第二电容器的电容值的和中减去所述第一调整电容器的电容值与所述冗余位电容器的电容值之和所得的电容值,
其中,所述第一调整电容器的另一端通过第三开关被选择性地耦合到所述第一基准电压、所述第二基准电压和所述公共电压,以及
其中所述第二调整电容器的另一端通过第四开关被选择性地耦合到所述第一基准电压、所述第二基准电压和所述公共电压。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中,所述调整电容器的另一端通过第三开关被选择性地耦合到所述第一基准电压、所述第二基准电压和所述公共电压。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中,所述调整电容器的另一端被耦合到固定电压布线,所述固定电压布线被固定到预定的电压。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中,在整个转换处理时段上,所述调整电容器的另一端被供应有所述第一基准电压和所述第二基准电压中的一个。
8.根据权利要求4所述的半导体装置,
其中,在整个转换处理时段上,所述第一调整电容器的另一端被供应有所述第一基准电压,并且所述第二调整电容器的另一端被供应有所述第二基准电压。
9.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中,所述冗余位电容器的电容值是所述第一电容器之一的电容值。
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