[发明专利]控制电路、外围电路、半导体存储器件及其操作方法

权利要求书

1.一种操作其中选中的存储单元被编程的半导体存储器件的方法，所述方法包括：

将具有阶跃脉冲与斜坡信号组合的形式的控制信号施加到晶体管的栅电极以用于设置所述选中的存储单元的位线的电压；以及

将编程脉冲施加到所述选中的存储单元的字线。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述施加控制信号包括：

施加具有参考电压的电平的阶跃脉冲作为控制信号；以及

如果预设参考时间已经过去，则施加具有特定梯度的斜坡信号作为控制信号。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述参考电压是导通所述晶体管所需的导通电压。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述参考时间是导通所述晶体管所需的最小时间。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述位线的充电速度根据所述梯度而变化。

6.一种半导体存储器件，包括：

单元阵列，所述单元阵列包括多个存储单元；

页缓冲器，所述页缓冲器被配置为在编程操作期间将设置电压提供给选中的存储单元的位线；以及

控制电路，所述控制电路被配置为控制所述页缓冲器，使得具有阶跃脉冲与斜坡信号组合的形式的控制信号被施加到晶体管的栅电极，所述晶体管被包括在页缓冲器中并且设置所述位线的电压。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述控制电路包括位线设置控制单元，所述位线设置控制单元被配置为在编程操作期间产生控制信号以及将所述控制信号输出到所述页缓冲器。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述位线设置控制单元被配置为施加具有参考电压的电平的阶跃脉冲作为所述控制信号，以及如果预设参考时间已经过去，则施加具有特定梯度的斜坡信号作为所述控制信号。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器件，其中，所述位线设置控制单元包括：

参考电压放大单元，所述参考电压放大单元被配置为基于在位线设置间隔期间输入的页缓冲器感测使能信号来输出具有参考电压的电平的阶跃脉冲；

斜坡信号发生单元，斜坡信号发生单元被配置为产生随时间逐渐增加的斜坡信号；以及

斜坡信号激活单元，斜坡信号激活单元被配置为如果参考时间已经过去，则基于输入的高电压使能信号来输出所述斜坡信号作为控制信号。

10.根据权利要求8所述的半导体存储器件，其中，所述参考电压是导通所述晶体管所需的导通电压。

11.根据权利要求8所述的半导体存储器件，其中，所述参考时间是导通所述晶体管所需的最小时间。

12.根据权利要求8所述的半导体存储器件，其中，所述位线设置控制单元被配置为确定所述梯度以控制所述位线的充电速度。

13.一种半导体存储器件，包括：

单元阵列，所述单元阵列包括多个存储单元；

页缓冲器，所述页缓冲器配置为在编程操作期间将设置电压提供给选中的存储单元的位线；以及

控制电路，所述控制电路被配置为将具有参考电压的电平的第一控制信号施加到晶体管的栅电极，以及如果预设参考时间已经过去，则施加按梯度增加到所述位线的目标设置电压的第二控制信号，所述晶体管被包括在所述页缓冲器中并且设置所述位线的电压。

14.根据权利要求13所述的半导体存储器件，其中，所述参考电压是导通所述晶体管所需的导通电压。

15.根据权利要求13所述的半导体存储器件，其中，所述参考时间是导通所述晶体管所需的最小时间。