[发明专利]晶圆转移装置及其应用方法

说明书

本发明提供了一种晶圆转移装置及其应用方法，所述晶圆转移装置包括本体、设置于所述本体上的第一对接附件、设置于所述本体内的工作槽，所述工作槽中承载有隔离液；所述第一对接附件将所述本体与存在故障的机台对接，所述晶圆从存在故障的机台被转移至所述工作槽的隔离液中后，所述本体与存在故障的机台解除对接，所述本体将晶圆转移至正常的机台上。基于本发明设计的晶圆转移装置可将存在故障的机台上的晶圆及时转移至正常的机台上，有效避免因机台上出现故障，无法对故障的机台正在处理的晶圆进行正常的处理工序，对制程造成的影响，提高了成品率及工作效率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种晶圆转移装置及其应用方法。

背景技术

刻蚀工艺是按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的工艺。刻蚀工艺不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。刻蚀还可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。

传统的湿法刻蚀工艺通常是将晶圆浸泡在一定的化学试剂或试剂溶液中，使没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜表面与试剂发生化学反应而被除去。例如，用一种含有氢氟酸的溶液刻蚀二氧化硅薄膜，用磷酸刻蚀铝薄膜等。这种在液态环境中进行刻蚀的工艺称为“湿法”工艺，其优点是操作简便、对设备要求低、易于实现大批量生产，并且刻蚀的选择性也好。

现有的湿法刻蚀机台主要包括：处理槽、干燥槽及设置于所述处理槽和所述干燥槽上方用于搬运晶圆的搬运机械臂，从而实现搬运机械臂搬运晶圆先后进出处理槽，进行干燥处理后，完成湿法刻蚀。但是在设计初始综合考虑到成本，功能和空间利用等各方面因素，通常的湿法刻蚀机台只会配备一到两个干燥槽，一旦干燥槽出现故障，若短时间内无法修复故障，那么已经进入酸槽或水槽开始制程的晶圆将得不到及时干燥，从而影响制程，严重时会导致晶圆报废，降低了成品率及工作效率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆转移装置及其应用方法，以解决使用现有技术中干燥槽出现故障后，存在已经进入酸槽或水槽开始制程的晶圆将得不到及时干燥，影响制程，导致成品率及工作效率低的问题。

为解决所述技术问题，本发明提供一种晶圆转移装置，所述晶圆转移装置包括：本体、设置于所述本体上的第一对接附件、设置于所述本体内的工作槽，所述工作槽中承载有隔离液；

所述第一对接附件将所述本体与存在故障的机台对接，所述晶圆从存在故障的机台被转移至所述工作槽的隔离液中后，所述本体与存在故障的机台解除对接，所述本体将晶圆转移至正常的机台上。

可选的，在所述的晶圆转移装置中，所述工作槽包括内槽及设置于所述内槽相对两侧的外槽，所述内槽中的液体装满后会溢出至所述外槽中。

可选的，在所述的晶圆转移装置中，所述本体包括与所述工作槽连接的处理管路，用于将所述工作槽中的隔离液进行排出或过滤，所述处理管路上设置有若干排水阀。

可选的，在所述的晶圆转移装置中，所述本体包括与所述工作槽连通的供气管路，用于向所述工作槽中的隔离液通入预定气体。

可选的，在所述的晶圆转移装置中，所述供气管路上设置有若干气动阀、流量调节阀及压力表。

可选的，在所述的晶圆转移装置中，所述隔离液为纯水。

可选的，在所述的晶圆转移装置中，所述预定气体为二氧化碳。

可选的，在所述的晶圆转移装置中，所述本体包括与供气管路连接的驱动气体管路，用于为所述供气管路上的气动阀提供驱动气体。

可选的，在所述的晶圆转移装置中，所述驱动气体管路上设置有若干气动阀、流量调节阀及压力表。

可选的，在所述的晶圆转移装置中，所述驱动气体为氮气或压缩干燥空气。