[发明专利]一种湿法刻蚀排气系统及湿法刻蚀装置有效
| 申请号： | 201710104091.7 | 申请日： | 2017-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN106876304B | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 李明晖;杨晓峰;吕耀军;张超;王彬;李桂 | 申请（专利权）人： | 成都京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 刻蚀 排气 系统 装置 | ||
1.一种湿法刻蚀排气系统，其特征在于，包括：抽换气管道和罩在湿法刻蚀设备的腔体的腔门上的真空罩体；其中，所述抽换气管道与所述腔体相连，所述真空罩体与所述抽换气管道相连；
所述抽换气管道通过第一阀控单元与所述腔体连通，所述抽换气管道通过第二阀控单元与所述真空罩体连通。
2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀排气系统，其特征在于，所述湿法刻蚀排气系统还包括设置在所述真空罩体外，且与所述真空罩体相连的大气压鼓风装置。
3.根据权利要求1所述湿法刻蚀排气系统，其特征在于，所述真空罩体与所述腔体的接触位置还设置有密封圈。
4.根据权利要求1所述的湿法刻蚀排气系统，其特征在于，所述湿法刻蚀排气系统还包括用于控制所述真空罩体升降的升降架，所述升降架与所述真空罩体相连。
5.根据权利要求1所述的湿法刻蚀排气系统，其特征在于，所述真空罩体的材质为耐酸性材质。
6.根据权利要求1所述的湿法刻蚀排气系统，其特征在于，所述第一阀控单元和所述第二阀控单元沿气体排出方向依次安装在所述抽换气管道上。
7.根据权利要求6所述的湿法刻蚀排气系统，其特征在于，所述第一阀控单元包括沿气体排出方向依次安装在所述抽换气管道上的第一过滤冷却装置和第一控制阀门。
8.根据权利要求6所述的湿法刻蚀排气系统，其特征在于，所述第二阀控单元包括沿气体排出方向依次安装在所述抽换气管道上的第二过滤冷却装置和第二控制阀门。
9.根据权利要求1所述的湿法刻蚀排气系统，其特征在于，所述真空罩体通过可伸缩软管与所述抽换气管道相连。
10.一种湿法刻蚀装置，其特征在于，包括如权利要求1～9任一项所述的湿法刻蚀排气系统。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
