[发明专利]一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器及其制作工艺

权利要求书

1.一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、选取单面抛光的陶瓷基板，依次用丙酮、酒精，去离子水对陶瓷基板进行超声波清洗，各10±2分钟，然后在180～250℃的烘箱中烘干，时间120～150分钟；

步骤2、底电极溅射：采用磁控溅射的方法依次在陶瓷基板的抛光面上溅射钛钨粘附层、下电极层和下电极阻挡层；下电极层的溅射时间40～60分钟，厚度2-4μm；钛钨厚度约150～200nm；

步骤3、用丙酮、酒精，去离子水对陶瓷基板进行超声波清洗，然后在150±5℃的烘箱中烘干，时间60～90分钟；

步骤4、采用旋转涂覆的方式，在陶瓷基板上制备聚酰亚胺薄膜并光刻出下电极板，前烘温度95～110℃，前烘时间90±10秒；曝光时间10±3秒；经显影后烘；然后在250±5℃的烘箱中固化，固化时间240～300分钟；

步骤5、分别用丙酮、酒精，去离子水对陶瓷基板进行超声波清洗，各10±2分钟，然后在180～250℃的烘箱烘干，时间120～150分钟；

步骤6、顶电极溅射：采用磁控溅射的方法在陶瓷基板上依次溅射上电极阻挡层和上电极层，上电极层溅射时间15～20分钟，厚度200～300nm；

步骤7、电镀：对陶瓷基板上的上电极层进行电镀加厚，金层厚度2～4μm；

步骤8、二次光刻：涂胶；在95～110℃的热板上烘烤90±10秒；曝光10±3秒；显影；刻蚀顶部上电极层和顶部上电极阻挡层，即刻蚀出上电极板；去胶；最后在120±10℃的热板上烘干5～10分钟；

步骤9、划片切割：采用机械切割的方法，对陶瓷基板进行划片切割，制得尺寸符合要求的薄膜电容器。

2.根据权利要求1所述的一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器的制作工艺，其特征在于：步骤1、3、5工序中的超声波清洗顺序为丙酮清洗→酒精清洗→去离子水清洗，超声功率100W，清洗时间各10±2分钟。

3.根据权利要求1所述的一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器的制作工艺，其特征在于：步骤2中，底电极采用钛钨-金-钛钨结构。

4.根据权利要求1所述的一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器的制作工艺，其特征在于：步骤4中，旋转涂覆好的聚酰亚胺薄膜即是光刻胶也是功能薄膜。

5.根据权利要求1所述的一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器的制作工艺，其特征在于：步骤2、6中，溅射功率400W，基片温度200～400℃，氩气流量100±1sccm，本底真空度7×10^-4Pa；上电极阻挡层溅射时间6～10分钟。