[发明专利]多重基底有效
申请号: | 201710104782.7 | 申请日: | 2017-02-24 |
公开(公告)号: | CN107135601B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | A·罗特 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H05K1/03 | 分类号: | H05K1/03;H05K1/14 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱 |
地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多重 基底 | ||
本发明涉及一种多重基底,其具有陶瓷板或陶瓷层(21),所述陶瓷板或陶瓷层形成至少两个彼此紧邻的并且彼此一体连接的单个基底(22,31,36,46,47),所述单个基底通过至少一条在单个基底(22,31,36,46,47)之间延伸的切割线(32,37,41,42,48,49)彼此隔开,其中,陶瓷层(21)的第一边缘(24)沿着第一延伸方向(25)延伸,并且陶瓷层(21)的第二边缘(26)沿着第二延伸方向(27)延伸,所述第一单个基底(22)沿着两个延伸方向(25,27)中的一个延伸方向的至少一个最长延伸不同于所述第二单个基底(31,36,46,47)沿着相同的延伸方向(25,27)的最长延伸。
技术领域
本发明涉及一种根据权利要求1的前序部分所述的多重基底。
背景技术
公知的是,在多重用途部分(Mehrfachnutzen)中制造基底,特别也是制造具有由陶瓷、例如氧化铝陶瓷构成的绝缘层或载体层的基底,也就是说,通过将数个单个基底制造在共同的绝缘层和载体层上作为多重基底并且也装备电子元件,其中,多重基底接着被分离成或分成单个基底以用于其他应用。这种分离特别是在多重基底具有由陶瓷构成的绝缘层和载体层的情况下通过特别是借助于激光沿着由单个基底限界的切割线切割和/或通过沿着切割线或应断开线断开来实现。
这种多重基底例如在DE 195 04 378 A1、DE 44 44 680 A1和DE 93 10 299 U1中被描述。
前述的陶瓷基底被用于制造电路、特别是功率电路,并且通常在至少一个表面侧上设有金属化层,所述金属化层在使用蚀刻技术的情况下这样结构化,以使得所述金属化层形成对于电路所需要的印刷电路、接触面以及类似的结构。
为了合理地制造电路而公知的是,在多重用途部分中进行所述电路的制造,也就是说,特别是将金属面结构化用于实现所需的印刷电路、接触面以及类似的结构,然而也在多重用途部分上装备电子元件,所述多重用途部分接着在完成结构化或装备之后分成相应的单个基底。
公知的多重基底通常具有矩形的、平面的形状,在所述多重基底上矩阵式或棋盘式地布置有多个在外部尺寸上相同构造的并且相同定向的单个基底。在通常的情况中,多重基底在长度和宽度方向上的尺寸不是恰好相应于单个基底的相应长度尺寸或宽度尺寸的整数倍,不能使用多重基底的整个面来布置单个基底。由此,多重基底具有下述的基底区域,所述基底区域不可用于制造单个基底并且相应地在制造中损失。
发明内容
在这种背景下,本发明的任务在于,提出一种多重基底,所述多重基底避免了前述的缺点并且实现更好地、更优化地使用由多重基底提供的基底面。
该任务通过一种具有权利要求1的特征的多重基底解决。从属权利要求公开了本发明其他特别有利的设计方案。
需要指出的是,在下述说明书中单独实施的特征能够以技术上有意义的任意方式彼此组合,并且表明本发明的其他设计方案。说明书特别是结合附图附加地表征和规定本发明。
此外需要指出的是,以下描述的发明能够应用于任何种类的基底,例如AlN(氮化铝)、Si3N4(氮化硅)、Al2O3(氧化铝)和类似的种类。此外,基底能够以金属化层、例如Cu(铜)或Al(铝)涂覆。在此,金属化层可以通过不同的方法、例如通过AMP(Active MetalBrazing,活性金属钎焊)、DCB(Direct Copper Bonding,直接键合铜)、DAB(DirectAluminum Bonding,直接键合铝)、厚涂层方法和类似的方法施加到基底的至少一个表面侧上。在此特别优选的是DCB和AMB陶瓷基底。在这里,术语“基底”在下文中用作所有前述基底类型的同义词。
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