[发明专利]OLED像素驱动电路及像素驱动方法

权利要求书

1.一种OLED像素驱动电路，其特征在于，包括第一N型薄膜晶体管(T1)、第二N型薄膜晶体管(T2)、第三N型薄膜晶体管(T3)、第四N型薄膜晶体管(T4)、第五P型薄膜晶体管(T5)、第六N型薄膜晶体管(T6)、第七P型薄膜晶体管(T7)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、及有机发光二极管(D1)；所述第七P型薄膜晶体管(T7)用作有机发光二极管(D1)的驱动薄膜晶体管；

第一N型薄膜晶体管(T1)的栅极接入第三扫描信号(Scan3)，源极接入数据信号(Data)，漏极电性连接第一节点(a)；

第二N型薄膜晶体管(T2)的栅极接入第二扫描信号(Scan2)，源极电性连接第一节点(a)，漏极电性连接第二节点(b)；

第三N型薄膜晶体管(T3)的栅极接入发光控制信号(EM)，源极接入电源高电压(VDDH)，漏极电性连接第三节点(c)；

第四N型薄膜晶体管(T4)的栅极接入第二扫描信号(Scan2)，源极电性连接第三节点(c)，漏极电性连接第五节点(e)；

第五P型薄膜晶体管(T5)的栅极接入发光控制信号(EM)，源极电性连接第四节点(d)，漏极接入公共接地电压(VSS)；

第六N型薄膜晶体管(T6)的栅极接入第一扫描信号(Scan1)，源极电性连接第五节点(e)，漏极分时接入电源低电压(VDDL)或发光亮度调节电压(Vr)；

第七P型薄膜晶体管(T7)的栅极电性连接第一节点(a)，源极电性连接第三节点(c)，漏极电性连接第二节点(b)；

有机发光二极管(D1)的阳极电性连接第二节点(b)，阴极接入公共接地电压(VSS)；

第一电容(C1)的一端电性连接第一节点(a)，另一端电性连接第四节点(d)；

第二电容(C2)的一端电性连接第四节点(d)，另一端电性连接第五节点(e)。

2.如权利要求1所述的OLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一扫描信号(Scan1)、第二扫描信号(Scan2)、第三扫描信号(Scan3)、发光控制信号(EM)、及数据信号(Data)相组合先后对应于一复位阶段(S1)、一阈值电压检测阶段(S2)、一数据写入阶段(S3)、及一发光阶段(S4)；

在所述复位阶段(S1)，所述第一扫描信号(Scan1)为高电位，第二扫描信号(Scan2)为低电位，第三扫描信号(Scan3)为低电位，发光控制信号(EM)为低电位，数据信号(Data)为低电位；第六N型薄膜晶体管(T6)的漏极接入电源低电压(VDDL)；

在所述阈值电压检测阶段(S2)，所述第一扫描信号(Scan1)为低电位，第二扫描信号(Scan2)为高电位，第三扫描信号(Scan3)为低电位，发光控制信号(EM)为低电位，数据信号(Data)为低电位；

在所述数据写入阶段(S3)，所述第一扫描信号(Scan1)为低电位，第二扫描信号(Scan2)为低电位，第三扫描信号(Scan3)为高电位，发光控制信号(EM)为低电位，数据信号(Data)为高电位；

在所述发光阶段(S4)，所述第一扫描信号(Scan1)为高电位，第二扫描信号(Scan2)为低电位，第三扫描信号(Scan3)为低电位，发光控制信号(EM)为高电位，数据信号(Data)为低电位；第六N型薄膜晶体管(T6)的漏极接入发光亮度调节电压(Vr)。

3.如权利要求1所述的OLED像素驱动电路，其特征在于，所述电源低电压(VDDL)高于第七P型薄膜晶体管(T7)的阈值电压与有机发光二极管(D1)的阈值电压的加和。

4.如权利要求3所述的OLED像素驱动电路，其特征在于，所述公共接地电压(VSS)不高于发光亮度调节电压(Vr)，所述发光亮度调节电压(Vr)低于电源高电压(VDDH)与有机发光二极管(D1)的阈值电压的加和减去数据信号(Data)提供的高电位的电压值。

5.如权利要求1所述的OLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一扫描信号(Scan1)、第二扫描信号(Scan2)、第三扫描信号(Scan3)、发光控制信号(EM)、及数据信号(Data)均通过外部时序控制器产生。